5V 3.1A用什么方案好

各位電源高手說(shuō)說(shuō) 完電壓輸入 5V 3.1A用原邊方案好點(diǎn) 還是用副邊方案來(lái)做好,討論下吧,謝謝

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TCWDZ

LV.2

2013-04-19 09:54

PM_CR6229_12V2A_V1.0 CR622X_V1.1 副邊反饋

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wltxiaozhong

LV.4

2013-04-19 09:57

副邊吧，原邊做大電流不是很穩(wěn)定

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天空skydai

LV.6

2013-04-19 10:02

用外置MOSFET的比較穩(wěn)定，比如：CR6855或OB2273+MOSFET來(lái)做。

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pangjihao

LV.10

2013-04-19 10:31

@天空skydai

用外置MOSFET的比較穩(wěn)定，比如：CR6855或OB2273+MOSFET來(lái)做。

DK124 做5V3.1A沒(méi)有問(wèn)題的，做副邊的話相對(duì)來(lái)說(shuō)還是要好點(diǎn)，畢竟要增加保護(hù)功能要容易的多。

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最愛(ài)電源

LV.6

2013-04-19 11:29

@pangjihao

[圖片]DK124 做5V3.1A沒(méi)有問(wèn)題的，做副邊的話相對(duì)來(lái)說(shuō)還是要好點(diǎn)，畢竟要增加保護(hù)功能要容易的多。

留下聯(lián)系方式

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pangjihao

LV.10

2013-04-19 14:00

@最愛(ài)電源

留下聯(lián)系方式

謝謝兄弟！

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山野村夫

LV.3

2013-04-19 14:20

@pangjihao

謝謝兄弟！

那么大電流副邊外加MOS同樣要加散熱片, 如果用內(nèi)置的MOS的副邊方案應(yīng)該也OK吧

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山野村夫

LV.3

2013-04-19 14:23

@山野村夫

那么大電流副邊外加MOS同樣要加散熱片,如果用內(nèi)置的MOS的副邊方案應(yīng)該也OK吧

其實(shí)現(xiàn)在問(wèn)題就是外殼空間有限散熱是個(gè)很大的問(wèn)題

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pangjihao

LV.10

2013-04-19 14:27

@山野村夫

其實(shí)現(xiàn)在問(wèn)題就是外殼空間有限散熱是個(gè)很大的問(wèn)題

我看有的產(chǎn)品是在內(nèi)殼加銅皮或者鋁板貼在外殼加強(qiáng)散熱，也可以采用低壓降的肖特基來(lái)提升效率。

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山野村夫

LV.3

2013-04-19 16:22

@pangjihao

我看有的產(chǎn)品是在內(nèi)殼加銅皮或者鋁板貼在外殼加強(qiáng)散熱，也可以采用低壓降的肖特基來(lái)提升效率。

但電路板體積又有限而且又要求過(guò)CE 這個(gè)是最頭痛的問(wèn)題怎么保證安規(guī)距離

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pangjihao

LV.10

2013-04-19 16:47

@山野村夫

但電路板體積又有限而且又要求過(guò)CE這個(gè)是最頭痛的問(wèn)題怎么保證安規(guī)距離

安規(guī)還好過(guò)，EMC就麻煩了，安全距離不夠可以加個(gè)檔板之類的，或者用多塊小板插在主板上。

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山野村夫

LV.3

2013-04-19 22:15

@pangjihao

安規(guī)還好過(guò)，EMC就麻煩了，安全距離不夠可以加個(gè)檔板之類的，或者用多塊小板插在主板上。

問(wèn)題是就是一個(gè)電路板啊,開(kāi)槽的地方都沒(méi)有啊

還有個(gè)問(wèn)題像3.1A雙輸出的如何做好1個(gè)輸出1A 一個(gè)2.1A 單獨(dú)用一個(gè)口的時(shí)候用1A的電流不會(huì)超過(guò)1A 單獨(dú)用2.1A時(shí)也就只是2.1A

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dsa

LV.1

2013-04-20 12:00

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老鐘電源IC

LV.11

2013-04-20 13:32

@山野村夫

問(wèn)題是就是一個(gè)電路板啊,開(kāi)槽的地方都沒(méi)有啊還有個(gè)問(wèn)題像3.1A雙輸出的如何做好1個(gè)輸出1A 一個(gè)2.1A 單獨(dú)用一個(gè)口的時(shí)候用1A的電流不會(huì)超過(guò)1A 單獨(dú)用2.1A時(shí)也就只是2.1A