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QR反激準諧振控制的疑問及延伸設(shè)計

    參加了電源網(wǎng)在北京的研討會，之前就對老梁的QR演講內(nèi)容很感興趣。而且現(xiàn)場效果也很不錯。收獲頗多。因為在小功率應(yīng)用中反激絕對是主流方案，為了提高效率減少EMI輻射準諧振控制模式是當下最流行的控制方案。

首先感謝下組織者電源網(wǎng)和演講嘉賓。因為時間限制有些地方講的太快，有幾個疑問沒來的及提出，在此開一貼作為深入討論希望原作者和各位高手盡釋疑惑。其它對于這種控制模式有的疑惑也盡可提出。在討論中進步。

全部回復(fù)(81)
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zhenxiang
LV.10
2
2013-04-17 13:16
我先說一個 為什么準諧振能改善EMI性能?，準諧振實際是工作在DCM模式，此時的峰值電流實際要比CCM下要大，必然導(dǎo)致MOS的導(dǎo)通損耗增加。次級二極管和濾波電容的峰值電流也大，那么在低壓輸入的情況下比CCM模式控制有何優(yōu)勢。
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2013-04-17 17:59
頂~~~
0
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2013-04-17 18:00
@電源網(wǎng)-源源
[圖片]頂~~~

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2013-04-17 18:22
@zhenxiang
我先說一個為什么準諧振能改善EMI性能?，準諧振實際是工作在DCM模式，此時的峰值電流實際要比CCM下要大，必然導(dǎo)致MOS的導(dǎo)通損耗增加。次級二極管和濾波電容的峰值電流也大，那么在低壓輸入的情況下比CCM模式控制有何優(yōu)勢。
我覺得QR還是在輸入電壓比較高的時候有優(yōu)勢,低壓應(yīng)該不占據(jù)優(yōu)勢.
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2013-04-17 20:22
@zhenxiang
我先說一個為什么準諧振能改善EMI性能?，準諧振實際是工作在DCM模式，此時的峰值電流實際要比CCM下要大，必然導(dǎo)致MOS的導(dǎo)通損耗增加。次級二極管和濾波電容的峰值電流也大，那么在低壓輸入的情況下比CCM模式控制有何優(yōu)勢。

其實QR能改善EMI的說法，主要是考慮有些IC本身會帶有一定的抖頻功能，將頻譜分散了而已，峰值電流確實是比深度CCM的要大，但考慮到開關(guān)管開通的時候，其兩端電壓較小，所以此時的dv/dt較小，一定程度上可以改善EMI，同事可以降低MOSFET的開通損耗。

其實QR這個拓撲比較適合前級有PFC預(yù)穩(wěn)壓的電路，這樣就能充分發(fā)揮出QR電路的優(yōu)勢，如果在寬范圍輸入的應(yīng)用中，當輸入電壓較低時，可能真的不如CCM的機子

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zhenxiang
LV.10
7
2013-04-18 08:18
@電源網(wǎng)-fqd
[圖片]
感謝SOMETIMES老師的回復(fù)。稍等我把準諧振芯片的應(yīng)用設(shè)計資料匯總傳上來。好做比較和借鑒。
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zhenxiang
LV.10
8
2013-04-18 08:21
@zhenxiang
感謝SOMETIMES老師的回復(fù)。稍等我把準諧振芯片的應(yīng)用設(shè)計資料匯總傳上來。好做比較和借鑒。
還有個問題，在諧振時間段主要是反射電壓和MOS D-S結(jié)電容諧振，這個說法對吧。所以設(shè)高的反射電壓可增加諧振能量，使得谷底更低開通損耗更小。那么此時的漏感時起到什么作用。
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老梁頭
LV.10
9
2013-04-18 08:24
@心中有冰
其實QR能改善EMI的說法，主要是考慮有些IC本身會帶有一定的抖頻功能，將頻譜分散了而已，峰值電流確實是比深度CCM的要大，但考慮到開關(guān)管開通的時候，其兩端電壓較小，所以此時的dv/dt較小，一定程度上可以改善EMI，同事可以降低MOSFET的開通損耗。其實QR這個拓撲比較適合前級有PFC預(yù)穩(wěn)壓的電路，這樣就能充分發(fā)揮出QR電路的優(yōu)勢，如果在寬范圍輸入的應(yīng)用中，當輸入電壓較低時，可能真的不如CCM的機子

冰版說的很詳細，這個拓撲我覺得功率比較大的時候不太適合做全范圍輸入，而是前級加PFC會發(fā)揮出他的優(yōu)勢。而在小功率的場合因峰值電流相對較小，MOS的導(dǎo)通損耗比起開通損耗占的比重很小，這時可以發(fā)揮它的長處。

我手頭有幾臺國外的樣機，功率在70W左右用的是3843的CCM模式，做的全范圍輸入，效率比起QR來說一點都不次。所以兩者比起來，正如上述所說，QR在大功率低壓輸入時帶上PFC應(yīng)該能把QR的長處充分發(fā)揮出來！

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老梁頭
LV.10
10
2013-04-18 08:40
@zhenxiang
還有個問題，在諧振時間段主要是反射電壓和MOSD-S結(jié)電容諧振，這個說法對吧。所以設(shè)高的反射電壓可增加諧振能量，使得谷底更低開通損耗更小。那么此時的漏感時起到什么作用。
我感覺漏感起的正作用不大，反而還是反作用比較大，就是帶來的MOS管的尖峰···
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fjsh2188
LV.5
11
2013-04-18 09:39

我也玩過單獨的QR反激模式，但是，THD一直在20-28%徘徊，怎么都降不下來；

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aczg01987
LV.10
12
2013-04-18 09:39
@心中有冰
其實QR能改善EMI的說法，主要是考慮有些IC本身會帶有一定的抖頻功能，將頻譜分散了而已，峰值電流確實是比深度CCM的要大，但考慮到開關(guān)管開通的時候，其兩端電壓較小，所以此時的dv/dt較小，一定程度上可以改善EMI，同事可以降低MOSFET的開通損耗。其實QR這個拓撲比較適合前級有PFC預(yù)穩(wěn)壓的電路，這樣就能充分發(fā)揮出QR電路的優(yōu)勢，如果在寬范圍輸入的應(yīng)用中，當輸入電壓較低時，可能真的不如CCM的機子
現(xiàn)在好多的IC都有加頻率抖動功能
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yulen123
LV.2
13
2013-04-18 09:40

感覺應(yīng)該上個原理圖！讓我們更好的學(xué)習(xí)


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aczg01987
LV.10
14
2013-04-18 09:41
@老梁頭
冰版說的很詳細，這個拓撲我覺得功率比較大的時候不太適合做全范圍輸入，而是前級加PFC會發(fā)揮出他的優(yōu)勢。而在小功率的場合因峰值電流相對較小，MOS的導(dǎo)通損耗比起開通損耗占的比重很小，這時可以發(fā)揮它的長處。我手頭有幾臺國外的樣機，功率在70W左右用的是3843的CCM模式，做的全范圍輸入，效率比起QR來說一點都不次。所以兩者比起來，正如上述所說，QR在大功率低壓輸入時帶上PFC應(yīng)該能把QR的長處充分發(fā)揮出來！
老梁，我問你一下，QR模式的IC是否每個負載點都能保證谷底導(dǎo)通呢？這個怎么實現(xiàn)的呢?
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aczg01987
LV.10
15
2013-04-18 09:43
@老梁頭
我感覺漏感起的正作用不大，反而還是反作用比較大，就是帶來的MOS管的尖峰···

漏感應(yīng)該是LLC電路有用的

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tangchaobao
LV.4
16
2013-04-18 09:43
@老梁頭
我感覺漏感起的正作用不大，反而還是反作用比較大，就是帶來的MOS管的尖峰···
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aczg01987
LV.10
17
2013-04-18 09:44
@yulen123
感覺應(yīng)該上個原理圖！讓我們更好的學(xué)習(xí)
老梁的演講資料里面有圖的
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aczg01987
LV.10
18
2013-04-18 09:44
@zhenxiang
感謝SOMETIMES老師的回復(fù)。稍等我把準諧振芯片的應(yīng)用設(shè)計資料匯總傳上來。好做比較和借鑒。
期待
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2013-04-18 14:53
@aczg01987
老梁，我問你一下，QR模式的IC是否每個負載點都能保證谷底導(dǎo)通呢？這個怎么實現(xiàn)的呢?

但不是第一個谷底

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aczg01987
LV.10
20
2013-04-18 16:14
@心中有冰
但不是第一個谷底

冰冰，我知道不是第一個谷底，我是想知道怎么保證都是谷底導(dǎo)通的，或者說調(diào)試的時候怎么調(diào)試才能保證每個負載點（至少3/4, 1/2, 1/4能在谷底導(dǎo)通）？

之前用OB2361，說是準諧振的IC，可是我發(fā)現(xiàn)在滿載和輕載的時候能保證在谷底導(dǎo)通，3/4載時在第四個谷底導(dǎo)通，但2.5/4載時沒在谷底導(dǎo)通呢？不知道是沒調(diào)試好還是怎樣？

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zhenxiang
LV.10
21
2013-04-19 08:33
@aczg01987
老梁的演講資料里面有圖的

說說我聽講后最大的疑惑；一般資料上介紹QR靠檢測谷底導(dǎo)通減少開通損耗，在第一個谷底肯定是導(dǎo)通電壓的最低點，所以建議在重載，高壓輸入時在震蕩的第一個谷底導(dǎo)通，輕載時一般片子都具有谷底鎖定功能，最多可到第四個谷底導(dǎo)通，再輕載時就會工作在跳周期模式了。那么附件演講講義的實測波形 

這個重載波形為什么不選擇在第一個谷底導(dǎo)通，是出于什么考慮

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zhenxiang
LV.10
22
2013-04-19 08:36
@zhenxiang
說說我聽講后最大的疑惑；一般資料上介紹QR靠檢測谷底導(dǎo)通減少開通損耗，在第一個谷底肯定是導(dǎo)通電壓的最低點，所以建議在重載，高壓輸入時在震蕩的第一個谷底導(dǎo)通，輕載時一般片子都具有谷底鎖定功能，最多可到第四個谷底導(dǎo)通，再輕載時就會工作在跳周期模式了。那么附件演講講義的實測波形[圖片] 這個重載波形為什么不選擇在第一個谷底導(dǎo)通，是出于什么考慮
這個重載波形為什么不選擇在第一個谷底導(dǎo)通，是出于什么考慮。。再貼個其它資料上的QR重載導(dǎo)通波形 
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老梁頭
LV.10
23
2013-04-19 10:06
@zhenxiang
這個重載波形為什么不選擇在第一個谷底導(dǎo)通，是出于什么考慮。。再貼個其它資料上的QR重載導(dǎo)通波形[圖片] 
這個應(yīng)該和我選取的諧振時間有關(guān)系，我取了5%的整個周期。要是取得小點，電感量會變大。我估計會進去zhen版說的第一個谷底導(dǎo)通
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2013-04-19 11:04
@aczg01987
冰冰，我知道不是第一個谷底，我是想知道怎么保證都是谷底導(dǎo)通的，或者說調(diào)試的時候怎么調(diào)試才能保證每個負載點（至少3/4,1/2,1/4能在谷底導(dǎo)通）？之前用OB2361，說是準諧振的IC，可是我發(fā)現(xiàn)在滿載和輕載的時候能保證在谷底導(dǎo)通，3/4載時在第四個谷底導(dǎo)通，但2.5/4載時沒在谷底導(dǎo)通呢？不知道是沒調(diào)試好還是怎樣？

QR芯片都有個過零檢測腳位，通過檢測VCC繞組的電壓來檢測谷底

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2013-04-19 11:06
@zhenxiang
說說我聽講后最大的疑惑；一般資料上介紹QR靠檢測谷底導(dǎo)通減少開通損耗，在第一個谷底肯定是導(dǎo)通電壓的最低點，所以建議在重載，高壓輸入時在震蕩的第一個谷底導(dǎo)通，輕載時一般片子都具有谷底鎖定功能，最多可到第四個谷底導(dǎo)通，再輕載時就會工作在跳周期模式了。那么附件演講講義的實測波形[圖片] 這個重載波形為什么不選擇在第一個谷底導(dǎo)通，是出于什么考慮
因其是一個阻尼震蕩，一般第一個谷底值最低，可以減少最多的開通損耗
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zhenxiang
LV.10
26
2013-04-19 11:26
@心中有冰
因其是一個阻尼震蕩，一般第一個谷底值最低，可以減少最多的開通損耗
基于FAN6300準諧振LED路燈電源的設(shè)計 上傳一個QR的設(shè)計參考，自我感覺做的不錯，我有實際按照這個參考做過。
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higel
LV.8
27
2013-04-19 11:50
@心中有冰
QR芯片都有個過零檢測腳位，通過檢測VCC繞組的電壓來檢測谷底

是不是過零檢測那個腳的電壓低了，把分壓電阻調(diào)調(diào)試試，讓那個腳電壓稍微高點

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zhenxiang
LV.10
28
2013-04-19 11:50
@zhenxiang
[圖片]基于FAN6300準諧振LED路燈電源的設(shè)計 上傳一個QR的設(shè)計參考，自我感覺做的不錯，我有實際按照這個參考做過。
實際上是通過檢測輔助繞組過零然后有個RC的延時決定開通時間。那么不在谷底導(dǎo)通即可以通過調(diào)整這個RC值實現(xiàn)?；蛘咴贒-S端加小的電容，改變諧振頻率
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higel
LV.8
29
2013-04-19 12:34
@zhenxiang
說說我聽講后最大的疑惑；一般資料上介紹QR靠檢測谷底導(dǎo)通減少開通損耗，在第一個谷底肯定是導(dǎo)通電壓的最低點，所以建議在重載，高壓輸入時在震蕩的第一個谷底導(dǎo)通，輕載時一般片子都具有谷底鎖定功能，最多可到第四個谷底導(dǎo)通，再輕載時就會工作在跳周期模式了。那么附件演講講義的實測波形[圖片] 這個重載波形為什么不選擇在第一個谷底導(dǎo)通，是出于什么考慮

這個目的是減小頻率吧~~

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zhenxiang
LV.10
30
2013-04-20 08:34
@higel
這個目的是減小頻率吧~~
NCP1380_OnSemi_AN01 應(yīng)用設(shè)計 再貼個翻譯過來的，ON的反激準諧振設(shè)計資料
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aczg01987
LV.10
31
2013-04-20 10:31
@zhenxiang
[圖片]NCP1380_OnSemi_AN01應(yīng)用設(shè)計 再貼個翻譯過來的，ON的反激準諧振設(shè)計資料
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