第五代半導(dǎo)體--CREE公司的SIC碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,不但擊穿電場強(qiáng)度高、熱穩(wěn)定性好,還具有載流子飽和漂移速度高、熱導(dǎo)率高等特點(diǎn),可以用來制造各種耐高溫的高頻大功率器件,用它作為材料做出來的肖特基二極管滿足以下一般的硅二極管所不能達(dá)到的特點(diǎn):
一》耐壓高,最高可以做到1800V;
二》反向恢復(fù)時(shí)間為零,提高產(chǎn)品的效率,改善產(chǎn)品的EMC;
三》耐溫強(qiáng),產(chǎn)品在300度以內(nèi)工作性質(zhì)不發(fā)生改變;
四》工作頻率可到200KHZ以上;
目前我們可以提供的產(chǎn)品有:CSD01060A,CSD02060A,CSD04060A,CSD06060A,CSD10060A,CSD20060A.等等600V耐壓的肖特基.產(chǎn)品特別適應(yīng)用在電源的PFC部分.
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第五代半導(dǎo)體--CREE公司的SIC碳化硅
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Rohm已經(jīng)推出SiC產(chǎn)品，包括SBD，MOS和Module。
SBD的Vf值為1.35V，最大電流為40A，650V或1200V。
MOS管的最大電流為35A，1200V。
Module的參數(shù)為120A，1800V和180A,1200V。
http://www.rohm.com/web/global/groups/-/group/groupname/SiC%20Power%20Devices
我們是Rohm的一級代理，可共同探討學(xué)習(xí)及需要樣品等，聯(lián)系1693398980
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@加伊
Rohm已經(jīng)推出SiC產(chǎn)品，包括SBD，MOS和Module。SBD的Vf值為1.35V，最大電流為40A，650V或1200V。MOS管的最大電流為35A，1200V。Module的參數(shù)為120A，1800V和180A,1200V。http://www.rohm.com/web/global/groups/-/group/groupname/SiC%20Power%20Devices我們是Rohm的一級代理，可共同探討學(xué)習(xí)及需要樣品等，聯(lián)系1693398980
我司專業(yè)SIC碳化硅MOS模塊（可以做成單管，加續(xù)流二極管，斬波...），IGBT模塊
QQ：597298353
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