逆變器的效率過底,請(qǐng)各位大哥幫小弟看看,多謝!!!!
我的驅(qū)動(dòng)信號(hào)是5伏,開關(guān)頻率30K,MOSFET帶負(fù)載輸出效率不到百分之五十,是出在什么問題.
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@st.you
跟MOS管柵極相連的那個(gè)三極管的集電極電阻4.7K,CImos是指MOS管的柵極輸入電容.MOS管的導(dǎo)通是要靠12V電源通過4.7K電阻給MOS管柵極電容充電完成的.可以算一下,最大的充電電流約為:12V/4.7K=2.5mA,太小了.不信你用UC或SG3525做個(gè)驅(qū)動(dòng)器來驅(qū)動(dòng)看看,效果肯定不一樣.
上升沿是很慢,我后來改過的電路,也沒注意到這個(gè)問題,現(xiàn)在也還沒改過來,順便傳上來.ST兄,先參考一下吧,再看做如何改動(dòng)?呵呵,,麻煩了!1099331856.sch
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@zxh9813
上升沿是很慢,我后來改過的電路,也沒注意到這個(gè)問題,現(xiàn)在也還沒改過來,順便傳上來.ST兄,先參考一下吧,再看做如何改動(dòng)?呵呵,,麻煩了!1099331856.sch
改了一下,試試看吧,我不明白對(duì)MOS你還加10K的電阻來限流干嘛.1099334493.sch
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@st.you
改了一下,試試看吧,我不明白對(duì)MOS你還加10K的電阻來限流干嘛.1099334493.sch
ST兄,你的判斷很準(zhǔn)啊,問題就在這里.我的那個(gè)限流是多余的,我把我的測(cè)試數(shù)據(jù)告訴你吧:負(fù)載75W的時(shí),效率為90;120W時(shí)為83.要求上是300W的,還有些問題:
1、PWM的占空,是取樣110V的電壓,單片機(jī)根據(jù)比較器判斷的高低電平來進(jìn)行調(diào)節(jié)的.因?yàn)檎伎站筒皇枪潭ǖ牧?這樣一來,帶的負(fù)載不同的話,效率就不知道該怎么保證了.
2、在驅(qū)動(dòng)MOS的柵極上,我如果加個(gè)12V穩(wěn)壓管與10K的電阻并接到地,是不是會(huì)更好一些,原理上說得通嗎?
3、因?yàn)槲业暮蠹?jí)電路是要得到一個(gè)110V的正弦波形,這樣的話,模擬正弦波時(shí),效率還要打個(gè)折扣,只有0.7左右
請(qǐng)給高見!THANKS!!
1、PWM的占空,是取樣110V的電壓,單片機(jī)根據(jù)比較器判斷的高低電平來進(jìn)行調(diào)節(jié)的.因?yàn)檎伎站筒皇枪潭ǖ牧?這樣一來,帶的負(fù)載不同的話,效率就不知道該怎么保證了.
2、在驅(qū)動(dòng)MOS的柵極上,我如果加個(gè)12V穩(wěn)壓管與10K的電阻并接到地,是不是會(huì)更好一些,原理上說得通嗎?
3、因?yàn)槲业暮蠹?jí)電路是要得到一個(gè)110V的正弦波形,這樣的話,模擬正弦波時(shí),效率還要打個(gè)折扣,只有0.7左右
請(qǐng)給高見!THANKS!!
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@zxh9813
ST兄,你的判斷很準(zhǔn)啊,問題就在這里.我的那個(gè)限流是多余的,我把我的測(cè)試數(shù)據(jù)告訴你吧:負(fù)載75W的時(shí),效率為90;120W時(shí)為83.要求上是300W的,還有些問題: 1、PWM的占空,是取樣110V的電壓,單片機(jī)根據(jù)比較器判斷的高低電平來進(jìn)行調(diào)節(jié)的.因?yàn)檎伎站筒皇枪潭ǖ牧?這樣一來,帶的負(fù)載不同的話,效率就不知道該怎么保證了. 2、在驅(qū)動(dòng)MOS的柵極上,我如果加個(gè)12V穩(wěn)壓管與10K的電阻并接到地,是不是會(huì)更好一些,原理上說得通嗎? 3、因?yàn)槲业暮蠹?jí)電路是要得到一個(gè)110V的正弦波形,這樣的話,模擬正弦波時(shí),效率還要打個(gè)折扣,只有0.7左右 請(qǐng)給高見!THANKS!!
你是要做正弦波逆變器吧?如故是SPWM調(diào)制波的話那么現(xiàn)在的驅(qū)動(dòng)是不行的,速度還是太慢,得在100ns以內(nèi)才好些,還不如用些專用的驅(qū)動(dòng)芯片來驅(qū)動(dòng)呢,如IR,TC,MC類.另外變壓器是不是低頻的啊,如果是,它應(yīng)該也是提高效率的一大障礙.
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@st.you
你是要做正弦波逆變器吧?如故是SPWM調(diào)制波的話那么現(xiàn)在的驅(qū)動(dòng)是不行的,速度還是太慢,得在100ns以內(nèi)才好些,還不如用些專用的驅(qū)動(dòng)芯片來驅(qū)動(dòng)呢,如IR,TC,MC類.另外變壓器是不是低頻的啊,如果是,它應(yīng)該也是提高效率的一大障礙.
不是啊,我的是30K的脈沖波?。儔浩魇歉哳l.
100ns的時(shí)間會(huì)很難保證吧?MOS的本身就有幾十個(gè)ns的呀?專用的驅(qū)動(dòng)芯片效果將是怎么樣?我沒有用過的,請(qǐng)你能傳達(dá)點(diǎn)信息
100ns的時(shí)間會(huì)很難保證吧?MOS的本身就有幾十個(gè)ns的呀?專用的驅(qū)動(dòng)芯片效果將是怎么樣?我沒有用過的,請(qǐng)你能傳達(dá)點(diǎn)信息
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@st.you
我用過IR的2110和2103,2106,若不是正弦調(diào)制波的話速度慢點(diǎn)也無妨.還有MOS管在大負(fù)載的時(shí)候熱不熱啊?
如果效率有80,90的話,發(fā)熱還好,感覺不燙啊.現(xiàn)在是我的后級(jí)會(huì)很燙,也還是驅(qū)動(dòng)的問題:
50HZ的信號(hào)一個(gè)直接給驅(qū)動(dòng)MOS(之間還有個(gè)電阻),一邊給三極管放大后給MOS的(有12V);
另一半50HZ也是對(duì)稱的
直接給的那個(gè)我如果也改成圖騰式驅(qū)動(dòng),不知道還有什么改動(dòng)呢?
50HZ的信號(hào)一個(gè)直接給驅(qū)動(dòng)MOS(之間還有個(gè)電阻),一邊給三極管放大后給MOS的(有12V);
另一半50HZ也是對(duì)稱的
直接給的那個(gè)我如果也改成圖騰式驅(qū)動(dòng),不知道還有什么改動(dòng)呢?
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