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EMI 好大的疑惑

在測試 CHAMBER 時(shí), RCD 箝位
其D , 使用的為 超快速回復(fù)二極管
其 Trr 時(shí)間為 250 Ns 以下

請參考附圖



我使用,同一廠牌,同一編號,同一批生產(chǎn)的快速二極管做試驗(yàn)
我的adaptor 也是同一顆,但卻得到兩個(gè)不同的答案
兩顆二極管寄給廠商分析后
其測得的規(guī)格都一樣,只有 Trr 時(shí)間不同
EMI 測試較差的 其 Trr 為 88nS
EMI 測試較好的 其 Trr 為 171nS

其結(jié)果,令我相當(dāng)迷惑
在我的認(rèn)知,應(yīng)該是回覆速度快的,其抑制雜訊也會較好才對
還是認(rèn)知錯(cuò)誤
請各位老大位小弟解迷惑吧

謝謝
全部回復(fù)(5)
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smps
LV.6
2
2004-10-08 17:02
Cj一樣嗎?
也很重要的
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djin
LV.2
3
2004-10-08 17:08
看看MOSFET上Spike的是否小了
由于trr大吸收了部分的spike的能量,減緩了dv/dt和di/dt
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5034
LV.2
4
2004-10-11 11:57
@smps
Cj一樣嗎?也很重要的
原廠沒有測試,我不知道
請問,Cj影響很大嗎?
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5034
LV.2
5
2004-10-11 12:00
@djin
看看MOSFET上Spike的是否小了由于trr大吸收了部分的spike的能量,減緩了dv/dt和di/dt
那,是不是使用一般的二極管會更好吧?
如果溫度不考慮的話
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2004-10-11 13:15
@5034
那,是不是使用一般的二極管會更好吧?如果溫度不考慮的話
對EMI來講 , 當(dāng)然是Trr較大較好 . EMI的產(chǎn)生源往往來自一些高頻開關(guān)零件 , 線路上的寄生電感電容產(chǎn)生的瞬間電壓電流的孌化 , 即我們通常講的di/dt , dv/dt . 你可以看到其它產(chǎn)品上 , MOSFET , 整流DIODES的PIN腳上常有人加上小的磁珠 , 就是用來抑制這些東西 . 你也可以試試 , 但注意要點(diǎn)一下thermal .
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