但是 我今天特別留意了一下各個MOS管的PDF資料,發(fā)現(xiàn)測試條件一樣的情況下td(on)
@ldfa 沒這個說法.MOSFET的驅(qū)動功率主要是控制柵的電容的充放電的功率,充和放是一樣的.這個功率與結型三極管的驅(qū)動功率相比,是非常非常小的. 但是 我今天特別留意了一下各個MOS管的PDF資料,發(fā)現(xiàn)測試條件一樣的情況下td(on) @ldfa 沒這個說法.MOSFET的驅(qū)動功率主要是控制柵的電容的充放電的功率,充和放是一樣的.這個功率與結型三極管的驅(qū)動功率相比,是非常非常小的. 但是 我今天特別留意了一下各個MOS管的PDF資料,發(fā)現(xiàn)測試條件一樣的情況下td(on)均小于td(off),不正說明了MOS管截止比導通更難嗎?
暈,發(fā)表話題時,怎么不能打小于符號呢? @緊閉〖雙眼〗 但是我今天特別留意了一下各個MOS管的PDF資料,發(fā)現(xiàn)測試條件一樣的情況下td(on)均小于td(off),不正說明了MOS管截止比導通更難嗎?暈,發(fā)表話題時,怎么不能打小于符號呢? 是這么回事,這是因為溝道的形成與截斷的速度不同. @ldfa 是這么回事,這是因為溝道的形成與截斷的速度不同. 也就是說,如果要讓 td(on)=td(off),那么就要加大驅(qū)動MOS管截止狀態(tài)的功率.當然td(on).td(off)越小越好. @緊閉〖雙眼〗 也就是說,如果要讓td(on)=td(off),那么就要加大驅(qū)動MOS管截止狀態(tài)的功率.當然td(on).td(off)越小越好. 不對不對.驅(qū)動MOS管的功率與這個Td(on)/Td(off)無關!驅(qū)動MOS管的功率只與控制極(柵極)的電容和控制極電壓有關.導通時間與截斷時間是材料參雜后的性質(zhì)有關. @ldfa 不對不對.驅(qū)動MOS管的功率與這個Td(on)/Td(off)無關!驅(qū)動MOS管的功率只與控制極(柵極)的電容和控制極電壓有關.導通時間與截斷時間是材料參雜后的性質(zhì)有關. 我的主要意思是 MOS管結電容是個固定值,驅(qū)動MOS管的功率越大,充放電速度越快.現(xiàn)在將驅(qū)動MOS截止的功率提高,也就是加快MOS管結電容放電的速度,即MOS管截止所須的時間比導通短,這樣與td(on) 也許這樣做意義不大吧!
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