你開(kāi)關(guān)管的耐壓用多少的,盡量選導(dǎo)通電阻小的管子,推薦IRF640(200V耐壓)

占空比不合適

驅(qū)動(dòng)有問(wèn)題吧,

輸入9~36V 輸出5V/3A 開(kāi)關(guān)管耐壓使用100v 9A的管子(以及另一款100V 15A) 3843反激 占空比0.45 初級(jí)圈數(shù)6T 初級(jí)電感量6uH(漏感90nH)
次級(jí)5T 反饋10T 結(jié)果MOS相當(dāng)燙 看VDS波形很正常(梯形波) 工作在CCM模式 但是就是溫升過(guò)高80度 單端反激是否不適合做低壓輸入的呢?

你的3843的供電電壓過(guò)低.導(dǎo)致MOS導(dǎo)通內(nèi)阻過(guò)大.你應(yīng)該把守3843供電提高

有道理

斃掉

9-36V這樣寬的輸入范圍,占空比在低端(9V)時(shí)應(yīng)大于50%

但是此產(chǎn)品是必須能在長(zhǎng)時(shí)間在vin=9v低壓時(shí)能滿載工作且環(huán)境溫度能在71度  占空比大于50%時(shí)是否能滿足這些條件呢?

我有測(cè)量過(guò)3843的vcc在Io=10%~100%之間時(shí)的VCC=10~13V
3843的DATA SHEET中好像大於8.5V就能工作了
且我的供電電壓是由一個(gè)22歐姆及10uF/16V電容組成 不過(guò)在15W的產(chǎn)品中是否足夠呢?

IRF3910做該電源足夠了.

推薦用IRL540,低柵壓、邏輯電平MOS管.我用它做8-48V輸入,15W反激效果很好.

請(qǐng)問(wèn)你用IRL540于輸入9v時(shí) MOS的溫升大概多少呢?整體效率多少?(輸入9V低壓下)
因?yàn)槲矣锌臻g的限制 所以只能使用D-PAK的封裝mos

體積要做多大的呢?要不你先換IRF540S看一下吧,也是貼片的,不過(guò)是D2PAK,你得考慮改伴了.3843在你用的供電范圍內(nèi)對(duì)這個(gè)單管是可以直驅(qū)沒(méi)問(wèn)題的,原來(lái)你用的導(dǎo)通電阻大.另外,你做的效率的確有些低了.

我用的case size是 50.8*25.4*10.2mm 銅殼
請(qǐng)問(wèn)一下 一般mos的ID電流要比初級(jí)電流大幾倍才行呢?
我用的一款mos(55V 16A)還是很燙 效率大概只有68%(VIN9V時(shí))
于VIN9V 15W換算 初級(jí)電流7.4A左右 應(yīng)該足夠呀 為何必須選用到IRL540呢? 還是裕量能愈大愈好呢? 不過(guò)最頭疼還是溫升及效率問(wèn)題呀.. 15W不需用到正激方式吧....

我手上有IRF540N http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irl540n.pdf
可是用了之后 MOS更燙 效率更低...是不是驅(qū)動(dòng)力不足呢? 而我用的3843是 http://www.micrel.com/_PDF/mic38C42.pdf
如果要看驅(qū)動(dòng)是否足夠是要看http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irl540n.pdf的哪方面數(shù)據(jù)呢?
我剛?cè)脒@行不久 還有很多要摸索的 希望能給小弟些指導(dǎo)

主要是因?yàn)镸OS管阻抗與耐壓相矛盾.將MOS管換成TO-220大小封裝的,外殼又太小,另15W的輸出功率用這樣小的銅殼沒(méi)有90左右的效率老化很可能會(huì)出問(wèn)題,建議你換大一點(diǎn)的銅殼.

換正激吧,做到15W還是沒(méi)問(wèn)題的,什么客戶用啊,讓他們?cè)谏岱矫嫦胂朕k法.

請(qǐng)問(wèn)一下tired前輩 一般反激是否不適合于輸入低壓的模式呢? 一般輸入9v輸出15w用正激 效率及溫升大概會(huì)多小呢?

看完你的貼子,建議:
   1:你的模塊電源用的環(huán)境溫度很高,高達(dá)71度(你自己說(shuō)的哈).趕快將3843換為2843或1843.
      同時(shí)所選元器件(包括PCB板)要注意其溫度指標(biāo)
   2:焊膏要選高溫焊膏
   3:你的外型尺寸較小,建議輸出用同步整流,以提高效率,增強(qiáng)可靠性.
   4:如果可行的話,建議用單端正極,因?yàn)槠漭斎腚娏鞣逯递^單端反極小,MOS管的損耗相對(duì)較小,以及輸出用自驅(qū)動(dòng)的同步整流也容易.
   5:MOS管用IRF540N/TO-220.

以上僅供參考,祝你好運(yùn)!!!!

我想問(wèn)一下老兄,你用3843做Vin18V~36V輸入時(shí),你做的功率有多大呀?有沒(méi)有做過(guò)Vout3.3V/7A的,如有,其頻率是多少!因?yàn)槲矣凶鲆粋€(gè),但其18V的效率只有45%,我做的頻率為43K.請(qǐng)幫忙一下!我MAIL是sgh@net-star.com.cn

你可以用個(gè)供電繞組,使3843的供電始終在15伏左右.
另外限流保護(hù)也影響效率,要有1伏壓降,對(duì)9v輸入是很大的

謝謝各位前輩的建議 我會(huì)試著foward的方式制作

反激做到4.5V也有啊,不過(guò)1x2英寸體積,用to-220的好象不現(xiàn)實(shí),可以選擇DPAK特性好的管子,效率應(yīng)該不會(huì)低于80%吧,可能會(huì)更高,好久不做這個(gè)東西了記不清,肯定能做出來(lái)的.象有人說(shuō)的那樣,要用同步整流.至于有人18V/20W效率45%,我認(rèn)為,捷徑就是買別人的,看別人怎么做的,別自己摸索了.

abc前輩 似乎mos那1伏的壓降 就是影響單端反激低壓輸入時(shí)的效率主因
不過(guò)我用示波器觀察3843輸出波形時(shí) 于低壓時(shí) 似乎推不太動(dòng)irfr120n
了 已經(jīng)變形了 一般應(yīng)該要方波 結(jié)果變成了一大一小的方波了.......
我想是推不動(dòng)mos 造成mos過(guò)熱而影響效率 這款MOS應(yīng)該很容易推動(dòng)呀 之前18~36V都OK 只能低壓輸入才這樣 但是我設(shè)計(jì)這一款VIN9~36v
Vout5v 3a 初級(jí)電感6uH Np:6T Ns:3T Nb:9T Fs:350khz 時(shí)就出現(xiàn)這問(wèn)題了

然而會(huì)影響到推動(dòng)MOS的驅(qū)動(dòng)能力 有哪些呢?
輸出整流管不加回復(fù)電容有差別嗎?

你的頻率太低了!!!做DC/DC模塊頻率常取250K--350K.
另做多大的功率跟3843沒(méi)關(guān)系.

dbing前輩 最近我用了單端正激試做了一款vin18~36v vout5v 3a
效率有81% 但是mos似乎還是太燙 之前看你的回貼說(shuō)正激的輸入電流峰值較單端反激小所以mos的損耗較小 但是最近我的實(shí)驗(yàn)情況似乎只有比反端好一些些而已..不知道此二種拓樸實(shí)際上Ip的大小如何?
看了些書(shū)籍這二種的ip也都差不多  只是儲(chǔ)能電感的使用情況不同
然而在這客戶限定的銅殼內(nèi)  非不得已才能使用push-pull的方式......
但成本實(shí)在是有點(diǎn)高且如果要雙輸出layout更難  希望前輩能再指點(diǎn)些正激的方法

有這樣的通用產(chǎn)品,2x2英寸

需要隔離嗎?若不需隔離用BUCK最好呀.

目前輸入18~36v 雖然正激效率比反激好一些 但是mos的溫度還是太高了
就算用IRF540N也是會(huì)升到100度 .....且加RCD也有將尖波降下 看了許多書(shū)藉似乎反激與正激的初級(jí)電流Ipk都差不多高...mos的溫度問(wèn)題快把我搞瘋了  希望各位高手能指點(diǎn)一二