關(guān)于MOS管可以承受的VGS電壓

用的FAIRCHILD的FDC658P,DATASHEET上說Vgs最大可以承受20V電壓,但是加到15V,Id就開始迅速上升,同事說是Vgs太大了,MOS管控制不住流過的電流.可是我還是不太明白這個,請前輩們發(fā)表一下看法吧!!謝謝

全部回復(fù)(7)

只看樓主

正序查看

倒序查看

asm

LV.8

2006-09-14 18:31

一般MOS管的VGS閾值電壓為2-4V,也就是說VGS在這個電壓下開始導(dǎo)通,MOS管線性區(qū)較窄,VGS電壓再高點(diǎn),MOS管就完全導(dǎo)通了,相當(dāng)于一個開關(guān),這時(shí)ID當(dāng)然(如果沒有其它措施)上升很快.

回復(fù)

no-admin

LV.8

2006-09-14 22:55

通過電流大還不好啊,說明MOS內(nèi)阻在減小啊!

我代理AOS系列MOS有問題可以來電話,

回復(fù)

asm

LV.8

2006-09-15 08:32

@no-admin

通過電流大還不好啊,說明MOS內(nèi)阻在減小啊!我代理AOS系列MOS有問題可以來電話,

AOS系列是那家公司的產(chǎn)品.

回復(fù)

no-admin

LV.8

2006-09-15 08:59

@asm

AOS系列是那家公司的產(chǎn)品.

美國萬代半導(dǎo)體

回復(fù)

power_s

LV.5

2006-09-15 09:23

FDC658P 是P 溝道的MOS管啊,我們使用P溝道的MOS管做開關(guān)管的時(shí)候, MOS管打開的時(shí)候(ID 很大) VGS的電壓與地來說都是低電平, 最低的時(shí)候是0V.
MOS管閉合的時(shí)候(ID 沒有) VGS 電壓都加到與VS 相等, 即VS=19V時(shí), VG也=19V. VGS小于等于5V左右是MOS管閉合狀態(tài).
你說的VGS 是VG 小與VS 15V嗎,假如是這個狀態(tài)ID 肯定是很大的.

回復(fù)

asm

LV.8

2006-09-15 10:26

@power_s

FDC658P是P溝道的MOS管啊,我們使用P溝道的MOS管做開關(guān)管的時(shí)候,MOS管打開的時(shí)候(ID很大)VGS的電壓與地來說都是低電平,最低的時(shí)候是0V.MOS管閉合的時(shí)候(ID沒有)VGS電壓都加到與VS相等,即VS=19V時(shí),VG也=19V.VGS小于等于5V左右是MOS管閉合狀態(tài).你說的VGS是VG小與VS15V嗎,假如是這個狀態(tài)ID肯定是很大的.

P溝道的MOS管不適宜做開關(guān)管,原因是導(dǎo)通電阻一般比N溝道要大.

回復(fù)