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電源技術(shù)綜合區(qū)
關(guān)于MOS管可以承受的VGS電壓
關(guān)于MOS管可以承受的VGS電壓
用的FAIRCHILD的FDC658P,DATASHEET上說Vgs最大可以承受20V電壓,但是加到15V,Id就開始迅速上升,同事說是Vgs太大了,MOS管控制不住流過的電流.可是我還是不太明白這個,請前輩們發(fā)表一下看法吧!!謝謝
全部回復(fù)(7)
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現(xiàn)在還沒有回復(fù)呢,說說你的想法
asm
LV.8
2
2006-09-14 18:31
一般MOS管的VGS閾值電壓為2-4V,也就是說VGS在這個電壓下開始導(dǎo)通,MOS管線性區(qū)較窄,VGS電壓再高點(diǎn),MOS管就完全導(dǎo)通了,相當(dāng)于一個開關(guān),這時(shí)ID當(dāng)然(如果沒有其它措施)上升很快.
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no-admin
LV.8
3
2006-09-14 22:55
通過電流大還不好啊,說明MOS內(nèi)阻在減小啊!
我代理AOS系列MOS有問題可以來電話,
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asm
LV.8
4
2006-09-15 08:32
@no-admin
通過電流大還不好啊,說明MOS內(nèi)阻在減小啊!我代理AOS系列MOS有問題可以來電話,
AOS系列是那家公司的產(chǎn)品.
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no-admin
LV.8
5
2006-09-15 08:59
@asm
AOS系列是那家公司的產(chǎn)品.
美國萬代半導(dǎo)體
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power_s
LV.5
6
2006-09-15 09:23
FDC658P 是P 溝道的MOS管啊,我們使用P溝道的MOS管做開關(guān)管的時(shí)候, MOS管打開的時(shí)候(ID 很大) VGS的電壓與地來說都是低電平, 最低的時(shí)候是0V.
MOS管閉合的時(shí)候(ID 沒有) VGS 電壓都加到與VS 相等, 即VS=19V時(shí), VG也=19V. VGS小于等于5V左右是MOS管閉合狀態(tài).
你說的VGS 是VG 小與VS 15V嗎,假如是這個狀態(tài)ID 肯定是很大的.
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asm
LV.8
7
2006-09-15 10:26
@power_s
FDC658P是P溝道的MOS管啊,我們使用P溝道的MOS管做開關(guān)管的時(shí)候,MOS管打開的時(shí)候(ID很大)VGS的電壓與地來說都是低電平,最低的時(shí)候是0V.MOS管閉合的時(shí)候(ID沒有)VGS電壓都加到與VS相等,即VS=19V時(shí),VG也=19V.VGS小于等于5V左右是MOS管閉合狀態(tài).你說的VGS是VG小與VS15V嗎,假如是這個狀態(tài)ID肯定是很大的.
P溝道的MOS管不適宜做開關(guān)管,原因是導(dǎo)通電阻一般比N溝道要大.
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asm
LV.8
8
2006-09-15 10:28
@no-admin
美國萬代半導(dǎo)體
孤陋寡聞,第一次聽說.
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