請打救我..做100W 的mos fet 很燙,燙到錫都會(huì)熔掉!!!
我是做模塊100w的,想用前向型來做.用EPC25 的core 來做..mosfet 用TO-220 的包裝的..效率都不錯(cuò)..但很燙..燙到mosfet 的錫都會(huì)熔掉.我該怎么辦呢?是否,做100w的不可以用前向型呢??請指教!謝謝!
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@amingda
你的MOS管驅(qū)動(dòng)波形怎樣?開關(guān)損耗大不大?熱阻系數(shù)是多少?

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@amingda
你的MOS管驅(qū)動(dòng)波形怎樣?開關(guān)損耗大不大?熱阻系數(shù)是多少?

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@jerry_luk83
[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖,點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL,滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/45/1158570349.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
你的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的下降沿時(shí)間太長!上升沿也有阻尼震蕩,降低驅(qū)動(dòng)電阻試試!
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@jerry_luk83
輸入電壓=10~15V.輸出電壓=19V(5.2A)效率在12V時(shí),暫時(shí)有81%,體積是61mmx58mmx12.7mm
原邊電流挺大的了...有效值恐怕要10個(gè)安培左右...(取決于副邊電感量),如果28毫歐姆的Rds(on),就意味著I^2*Rds(on)大概有2.8w....而加上驅(qū)動(dòng)損耗,至少3w,一般一個(gè)管子最好不要承受這么大的損耗,如果用0.028毫歐姆的管子,至少應(yīng)該并三個(gè)!甚至更多,建議用好管子!
順便問一下你的匝數(shù)比?
真想提高效率,可以從原邊mos和副邊電感量來著手,簡單說是多并mos,用好管子,提高副邊電感量,當(dāng)然不要讓副邊電感Bmax過高(如果用鐵氧體的話要注意飽和問題)
順便問一下你的匝數(shù)比?
真想提高效率,可以從原邊mos和副邊電感量來著手,簡單說是多并mos,用好管子,提高副邊電感量,當(dāng)然不要讓副邊電感Bmax過高(如果用鐵氧體的話要注意飽和問題)
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原邊電流挺大的了...有效值恐怕要10個(gè)安培左右...(取決于副邊電感量),如果28毫歐姆的Rds(on),就意味著I^2*Rds(on)大概有2.8w....而加上驅(qū)動(dòng)損耗,至少3w,一般一個(gè)管子最好不要承受這么大的損耗,如果用0.028毫歐姆的管子,至少應(yīng)該并三個(gè)!甚至更多,建議用好管子!順便問一下你的匝數(shù)比?真想提高效率,可以從原邊mos和副邊電感量來著手,簡單說是多并mos,用好管子,提高副邊電感量,當(dāng)然不要讓副邊電感Bmax過高(如果用鐵氧體的話要注意飽和問題)
匝數(shù)比7:26:21( Np:Ns:Nf) ,謝謝您的意見.
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