這個(gè)問題講幾年都講不完,還是要實(shí)踐的.
DCM:完全能量轉(zhuǎn)換,Ton儲(chǔ)能,Toff全部轉(zhuǎn)移到輸出端.所需感量小,變壓器小,但是AC繞組損耗大,鐵心損耗大.由于高RMS電流,MOSFET損耗加大,輸出端電容也應(yīng)該加大,推薦高電壓小電流使用.
CCM:不完全能量轉(zhuǎn)換,一部分能量在Toff末期保留到下一個(gè)Ton開始.元器件溫升低,輸出功率大.推薦低壓大電流使用.
總的來說,反激功率最好不要超過150W.我做過180W的反激,差點(diǎn)被累死.
另外,EMI問題一只是電源領(lǐng)域一個(gè)比較棘手的問題,分傳導(dǎo)和輻射以及其它10多項(xiàng),這個(gè)帖子一時(shí)也是講不完的.
至于效率,個(gè)人認(rèn)為反激做到85%已經(jīng)很不錯(cuò)了.除非同步整流,用低Rds的MOSFET,增加母線高壓電容容量,加強(qiáng)變壓器制作工藝減少漏感,增大分壓電阻的阻值,減小熱敏電阻的阻值.

謝謝greatcn兄的回復(fù)
我們的電源大概三四十瓦,但是其變壓器比較燙,我們用的是平面變壓器,按理說,漏感應(yīng)該比較小,但是就覺得效率不高,聽說反激式變壓器必須要加吸收電路,不知道其電容,電阻還有二極管參數(shù)怎么確定

你用的是平面變壓器?你的產(chǎn)品是低壓輸入的嗎?

我不知道你是AC-DC-DC還是純粹的DC-DC.
若是后者,效率是可以做的很高的.甚至我見過牛人做到超過90%,但是是國外的同事做的,當(dāng)然成本比較高.
另外,變壓器發(fā)燙,也就是溫升高有很多原因,常見的有余量不足,銅損大,這一點(diǎn)在I值大的時(shí)候尤其突出,而且與散熱的方式有很大的關(guān)系.
平面變壓器的有點(diǎn)是不言而喻的,但是價(jià)格比較高.
反激不一定要加吸收回路.我很少在電路中加吸收回路,因?yàn)槲栈芈穼?duì)電源效率有很大影響,再者,增加了成本.不過,對(duì)EMI要求比較嚴(yán)格的時(shí)候,還是可以加上去的.關(guān)于吸收回路的算法我傳一個(gè)文件給你.希望對(duì)你有用.1157284708.pdf

1157284856.pdf
這個(gè)比較專業(yè)一點(diǎn),也可以作為參考.

來一個(gè)更專業(yè)的,老外寫的.1157285227.pdf

都不能下載啊,能傳到油箱嗎?xcym1981@163.com 萬分感謝!

greatcn大俠,下載不了啊,可以發(fā)到我的郵箱里嗎?songshikuan@163.com 謝謝!

greatcn兄 能否上傳其它格式的啊
PDF格式的網(wǎng)博無法下載啊
謝了

已發(fā),請查收.

請兄臺(tái)發(fā)一份給我
sealand_1981@sina.com
多謝

已發(fā),請查收.

xiexie

greatcn兄,能發(fā)我一份不,萬分感謝,我的郵箱是baobo8413190@yahoo.com.cn

greatcn老師,能給我發(fā)一份資料嗎?gxin2003@163.com

greatcn老師,能否請問你一個(gè)問題,單端反激電源的工作頻率如果未做要求,那么一般來說,是工作在60kc以上好呢,還是工作在20-30kc 左右好呢?所謂好是指對(duì)變壓器的工作點(diǎn)和mos功率器件工作點(diǎn)好,我是初學(xué)者,問的問題可能挺幼稚的,煩請老師不吝賜教,謝謝!

這個(gè)要看芯片.
如果用傳統(tǒng)的3842或者3843,那么,頻率是可以通過調(diào)節(jié)那個(gè)R,C獲得不同的頻率的.
但是TOP SWITCH就是定頻率的,66KHZ或者132KHZ.
頻率越高,變壓器可以做的越小,這是優(yōu)點(diǎn),但是,帶來的EMI可能比較難處理一些.
對(duì)于MOSFET,它可以工作在相當(dāng)高的頻率.
變壓器的工作點(diǎn),如果指的是反激的話,要求溫升不高,最苛刻的條件下不飽和.另外,漏感要控制在原邊電感值的5%以下為好,這就要看變壓器廠商的工藝和材質(zhì)了.不然的話,由于漏感太大,關(guān)斷的時(shí)候造成的尖峰,可以將MOSFET擊穿破壞.這個(gè)漏感還是越小越好.所以,為了減小漏感,一般采用三明治繞法,也就是原邊放在最里面,繞一半,再繞副邊,絕緣之后,再繞原邊的另外一半,但是,這樣也帶來其他的問題,那就是原邊副邊的電容增大了.那么,這些雜散的電容也會(huì)帶來很多問題.
凡事有利弊,要綜合權(quán)衡一下.
不過按照我個(gè)人的喜好,我喜歡工作頻率更高一些.環(huán)路設(shè)計(jì)就更有挑戰(zhàn)性.

http://bbs.dianyuan.com/topic/109424
我在此貼中有一些詳細(xì)的論述.可以作一個(gè)參考.

謝謝greatcn兄的指點(diǎn),看來我們在電源效率上面還有很多事情要做啊,不過有像greatcn這樣的高手指點(diǎn),我們可以少走很多彎路.麻煩greatcn大哥能不能發(fā)一下前面那三篇文章,感激不盡!!郵箱為xinyao1358@163.com

我們的電源是純DC—DC的,效率估計(jì)就在80%左右吧,所以聽了greatcn兄所說這種電路能達(dá)到90%,我覺得我們提高的余地還是很大的 ,不過要走的路也是很長的

下不了
老兄給我也發(fā)一份吧
郵箱是gabriel114@126.com
先謝謝了!

如果DC-DC效率在80%的話稍微有點(diǎn)偏低.
如果想提高的話,可以在以下幾個(gè)方面下手:
1.輸入端直流母線上的電容加大,最好是多個(gè)并聯(lián),降低ESR值.
2.加強(qiáng)變壓器制作工藝,減小漏感.
3.增大輸出端分壓取樣電阻的阻值.
4.增大LED供電電阻的阻止,假設(shè)有LED指示的話.
另外,適當(dāng)提高占空比,可以使得原邊I減小,直接減小銅損.
5.取消吸收電路.但是,這樣就要采用更高耐壓值的MOSFET,成本會(huì)高一些.
6.減小反射電壓.
7.采用Rds值更小的MOSFET
8.降低開關(guān)頻率.
認(rèn)真的調(diào)節(jié)反饋環(huán)路,直到得到滿意的效果.

greatcn,郵件已收到,真的非常感謝!
我們的效率是偏低了,greatcn兄,我有點(diǎn)不明白輸入母線的電容是指的旁路電容嗎?我們分別用了0.1Uf和10Uf的電容并聯(lián),他們對(duì)效率的提高也會(huì)有影響?不大明白哦. 一直以來我總覺得影響效率的關(guān)鍵是變壓器和MOSFET, 變壓器我們用的是平面的,MOSFET穩(wěn)定工作時(shí)通過的電流3A多,Rds=19毫歐,工作頻率大概280Khz

母線我一般指的是經(jīng)過整流出來之后的兩根線.這個(gè)時(shí)候出來的波形如果什么都不加一般叫饅頭波,這個(gè)是大家都知道的,加上電容之后,當(dāng)然,多并聯(lián)幾個(gè)高壓電解電容,這個(gè)直流就會(huì)平滑很多.另外根據(jù)我這么多年的經(jīng)驗(yàn),只要是整流器件出來的地方或者有二極管的地方(整流橋就是4個(gè)二極管封裝在一起嘛),個(gè)人建議加上1~2個(gè)10nF~100nF的陶瓷電容,倒不是為了減小紋波,而是減小二極管反向恢復(fù)的時(shí)候的高頻成分.然后再并聯(lián)一些電解電容,減小ESR值.因?yàn)?電容充放電的時(shí)候,嚴(yán)格的說,是有內(nèi)阻,或者說是有ESR的,多并幾個(gè),這個(gè)電阻就盡量小,效率會(huì)有提升,對(duì)電源的品質(zhì)也有提升,但是,凡事有利弊,成本上升了,尤其是母線上的電壓一般比較高,這個(gè)時(shí)候的電容耐壓值都在400VDC以上,價(jià)格有點(diǎn)高.
旁路電容是濾除高頻成分的小電容,一般為陶瓷電容.http://www.ednchina.com/BBS/ShowTopic.aspx?id=11119可以作為參考.

關(guān)注中

同一時(shí)間里,電流不會(huì)同時(shí)在變壓器的原邊繞組和副邊繞組中流動(dòng).實(shí)際上,我們可以看看反激變換的波形,原邊電流和副邊電流都是不連續(xù)的.那為何還分為連續(xù)模式和斷續(xù)模式呢?實(shí)際上,在反激變換的電源中,連續(xù)與不連續(xù)狀態(tài),完全取決于整個(gè)開關(guān)周期中,變壓器鐵心中的磁場是否是連續(xù)的,實(shí)際上,再簡單一點(diǎn)說,反激變換電源是一個(gè)隔離型反向升壓變換器,它的連續(xù)狀態(tài)或者非連續(xù)狀態(tài)由電感器中的電流連續(xù)性來確定.在連續(xù)狀態(tài)下,原邊與副邊繞組始終有一個(gè)繞組電流不為0,非連續(xù)狀態(tài),在一個(gè)周期中,有一段時(shí)間,原邊繞組與副邊繞組中電流為0,這個(gè)時(shí)候負(fù)載的電流是由電容來提供的.
這可能是理解反激變換比較好的一種方式.

DCM下,有一個(gè)較高的電流峰值,還有一個(gè)脈動(dòng)電流Ir與峰值電流Ip的比值Krp.
CCM下,峰值電流比較低,Krp小于1但是大于0.4,,一般取值0.6,Krp反比于原邊繞組的電感量,所以CCM下峰值電流雖然低但是原邊電感量高,但是,高也有個(gè)上線,相當(dāng)于DCM下原邊電感量的4倍.這是由于峰值電流與Krp造成的一些差異.
DCM下所需要的原邊電感量小,相同功率下,變壓器體積較小,但是有較高的峰值,較高的有效電流值,開關(guān)損耗比較高,效率較低.
選擇的時(shí)候需要看具體的要求.
一般設(shè)計(jì)的時(shí)候,跨越了DCM與CCM,另外,原邊電感量必須大于DCM下的最小電感量.不然由于峰值電流過大,會(huì)帶來很多其他的問題.

greatcn,高手啊

greatcn兄說的真好,要向你好好學(xué)習(xí),我想問一個(gè)問題,你一般算變壓器是根據(jù)什么工式來算的,

一般來說還要看什么拓?fù)浣Y(jié)構(gòu).每種結(jié)構(gòu)算法不大一樣.
反激就是入門的.
另外,按照我個(gè)人的經(jīng)驗(yàn),我是先確定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),然后根據(jù)實(shí)際情況選用什么結(jié)構(gòu)的磁心.
一般用E型,成本低,便于使用,RM,TOROID因?yàn)榻^緣要求不大適合使用,低外形的時(shí)候EFD比較好,大功率的時(shí)候ETD比較好,多路輸出EER比較好.
然后,我根據(jù)經(jīng)驗(yàn)選取多大的磁心,而避免計(jì)算繁瑣還容易出錯(cuò)的Ae窗口面積之類的參數(shù).其實(shí),多大功率,磁芯表格上一般都會(huì)有注明的,而且大部分留有一定余量.所以,我個(gè)人認(rèn)為計(jì)算Ae是很不必要的一件事情,再說,很容易出錯(cuò),很多參數(shù)很難理解,而且計(jì)算出來的是理論值,與實(shí)際情況相差很多.
之后,我主要是做變壓器的設(shè)計(jì),工作于什么狀態(tài)或者模式,認(rèn)真的優(yōu)化匝數(shù),以及線徑,實(shí)際上,線徑也是有經(jīng)驗(yàn)值的而不大需要計(jì)算的.一般我按照4~5A/mm2取值.
之后就是重頭戲,環(huán)路,反饋的設(shè)計(jì).
然后就是調(diào)試,優(yōu)化.首先是在光板,爾后就是LAYOUT.
以后我會(huì)陸續(xù)開一些專題的,就各個(gè)常見的問題進(jìn)行深入的探討.
也歡迎廣大朋友拍磚.提出寶貴的意見和建議.