我之前在基準(zhǔn)對地沒有電阻的時(shí)候也仿過，是可行的，我覺得只要給反饋電壓就行了，沒必要有對地電阻，那時(shí)候輸入比較低只有36伏，我昨天把里面的mosfet換成了IGBT，可以了，但是不知道為什么會(huì)這樣。

已改好，見附件。

1、換了個(gè)MOSFET模型，并增加GS端電阻；

2、請仿真足夠長時(shí)間，比如100ms。

fanji 

謝謝，剛剛又仿真了一下，確實(shí)可以了，之前也試過換成IGBT，也可以，看來還是開關(guān)管模型的問題，不知道是什么原因。

還有關(guān)于在MOSFET的GS端并聯(lián)一個(gè)電阻，不知道有什么作用。我知道的只是減小MOSFET在靜電環(huán)境下的損壞，還有在網(wǎng)上看了一種解釋，是關(guān)于在還沒有加驅(qū)動(dòng)電壓的情況下，防止電壓通過Cgd向Cgs充電，導(dǎo)致DS極導(dǎo)通，燒壞管子，不知道這樣解釋對不對？

這位老師，連著上次和你討論的話題，我之后又在變壓器的原邊加上了吸收電路，待會(huì)我會(huì)附上仿真原理圖，吸收電路的參數(shù)計(jì)算我是參考了一篇文章的，待會(huì)也會(huì)附上，問題是加上了吸收電路后，原理圖報(bào)錯(cuò)了，如圖： 

下面附上仿真原理圖fanji 

吸收電路參數(shù)計(jì)算：RCD設(shè)計(jì) 

問一下，一般的要模仿TR，那個(gè)頁面怎么設(shè)置