兩片IR2110出來的PWM信號直接驅(qū)動全橋，母線電壓24V，可是在PWM占空比改變的情況下，MOS管VDS的占空比始終保持最大占空比不變，如下圖所示。黃色為驅(qū)動波形，綠色為VDS波形。由于是自己搭接的電路，波形不是很好。請大神們幫我分析下。不勝感激...
SG3525+IR2110+全橋，遇到怪問題，希望大神們不吝賜教...
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@米山人家
才24V波形就這么差了如果是超過100V，你來不及抓圖，板子就炸掉了 1，死區(qū)時(shí)間太大，2，驅(qū)動過強(qiáng)3，另外還有一種可能就是，全橋工作在容性狀態(tài)，你的驅(qū)動頻率，低于LC的諧振頻率，電流相位超前了但要首先把第一點(diǎn)排除掉再說
謝謝您的指教
1. 這個(gè)死區(qū)是我故意調(diào)出來的，想看看改變死區(qū)時(shí)間會不會讓VDS有所改變。之前死去時(shí)間非常小的時(shí)候，情況一樣。
2. IR2110驅(qū)動40A/600V的MOS管驅(qū)動能力應(yīng)該不是過強(qiáng)吧。
3. 現(xiàn)在頻率是50K左右，我將頻率升到100K時(shí)，問題同樣存在。這點(diǎn)我再驗(yàn)證一下。請問還有其他可能的原因嗎？
再次感謝！
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@chandlar
謝謝您的指教1.這個(gè)死區(qū)是我故意調(diào)出來的，想看看改變死區(qū)時(shí)間會不會讓VDS有所改變。之前死去時(shí)間非常小的時(shí)候，情況一樣。2.IR2110驅(qū)動40A/600V的MOS管驅(qū)動能力應(yīng)該不是過強(qiáng)吧。3. 現(xiàn)在頻率是50K左右，我將頻率升到100K時(shí)，問題同樣存在。這點(diǎn)我再驗(yàn)證一下。請問還有其他可能的原因嗎？再次感謝！
死區(qū)時(shí)間一定不能過大，如果你要觀察VDS的變化情況，可以用其它方式
2110的驅(qū)動方面，你自己分析，我不解釋
如果頻率升到100K仍存在同樣問題，那么你的主電路肯定有哪里沒處理好
你的LC是串聯(lián)還是并聯(lián)，如果是并聯(lián)的話，就當(dāng)我沒說過
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@米山人家
死區(qū)時(shí)間一定不能過大，如果你要觀察VDS的變化情況，可以用其它方式2110的驅(qū)動方面，你自己分析，我不解釋如果頻率升到100K仍存在同樣問題，那么你的主電路肯定有哪里沒處理好 你的LC是串聯(lián)還是并聯(lián)，如果是并聯(lián)的話，就當(dāng)我沒說過
不好意思，讓您見笑了，我也是剛剛接觸電源，有很多不懂。。做這個(gè)電源也是自己憑興趣搭建的，波形不好，我再改進(jìn)。
現(xiàn)在我全橋主電路沒有接變壓器，接變壓器問題同樣存在。MOS管用RC串聯(lián)作緩沖。我將RC去掉，仍然有問題。真是奇怪了，晚上查了一晚上，頭都大了。
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IR2103+SG3525，全橋電路。
年后又調(diào)試了下，發(fā)現(xiàn)問題仍然沒有解決，奇了怪了，上幾張波形圖。
1. 未帶高頻變壓器，最大占空比。
2. 未帶高頻變壓器，調(diào)小占空比。
3. 帶2.5K電阻負(fù)載，最大占空比。
4. 帶2.5K電阻負(fù)載,將占空比減小。
MOS管是40A/500V的IRFPS40N50L,驅(qū)動IC改用IR2103后加圖騰輸出驅(qū)動MOS。調(diào)試時(shí)母線電壓采用15V。逆變頻率是100K。主電路MOS帶RC緩沖電路，為減小Cds的影響，在MOS的GS間并了100PF的電容。請大俠幫忙分析一下，晚輩感激不盡。
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@chandlar
IR2103+SG3525，全橋電路。年后又調(diào)試了下，發(fā)現(xiàn)問題仍然沒有解決，奇了怪了，上幾張波形圖。1.未帶高頻變壓器，最大占空比。[圖片] 2.未帶高頻變壓器，調(diào)小占空比。[圖片] 3.帶2.5K電阻負(fù)載，最大占空比。[圖片] 4.帶2.5K電阻負(fù)載,將占空比減小。[圖片] MOS管是40A/500V的IRFPS40N50L,驅(qū)動IC改用IR2103后加圖騰輸出驅(qū)動MOS。調(diào)試時(shí)母線電壓采用15V。逆變頻率是100K。主電路MOS帶RC緩沖電路，為減小Cds的影響，在MOS的GS間并了100PF的電容。請大俠幫忙分析一下，晚輩感激不盡。
電阻減小，或者簡單點(diǎn)你用2~3個(gè)200W的白熾燈串聯(lián)作為負(fù)載，你就會看到你想要的波形了
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