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氮化鎵（GaN）終于真正量產(chǎn)了，基礎(chǔ)工藝技術(shù)的革新將帶來怎樣的巨變


最近在富士通半導(dǎo)體的微博上看到一條短短幾十個字的消息，——“富士通半導(dǎo)體將在2013年量產(chǎn)氮化鎵器件功率器件，這意味著富士通半導(dǎo)體鋪平了其GaN功率器件用于高壓、大電流應(yīng)用的道路?！睕]有任何鏈接，度娘了下，貌似媒體也鮮有大篇幅介紹。其實(shí)，懂行的都知道這意味著什么：

10年前就在聽專家談的氮化鎵 (GaN)技術(shù)將帶來的功率器件技術(shù)革命，去年底富士通的功率器件的服務(wù)器電源單元才成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，并在今年進(jìn)入量產(chǎn)，相信會在更多的功率器件中逐漸得到應(yīng)用。與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率，并使電源單元更加緊湊。關(guān)心功率器件的兄弟們，你們怎么看？個人認(rèn)為基礎(chǔ)工藝技術(shù)的革新將帶來電源乃至終端系統(tǒng)的巨大變革。元芳，你怎么看？？？

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2013-01-24 15:03
那是,對于電源行業(yè),功率器件的革新意義非凡.不過有多大的變化,還得拭目以待.
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gqxu2001
LV.6
3
2013-01-24 15:54
@sometimes
那是,對于電源行業(yè),功率器件的革新意義非凡.不過有多大的變化,還得拭目以待.

關(guān)注中!

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pouer
LV.3
4
2013-01-26 23:43

真沒聽說過，低調(diào)的創(chuàng)新，PF

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2013-01-27 00:07
@pouer
真沒聽說過，低調(diào)的創(chuàng)新，PF

十年內(nèi)不會普及吧

它性能再好，成本也拼不過硅片的

價格估計(jì)都不會在一個數(shù)量級內(nèi)

1
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ta7698
LV.9
6
2013-01-27 10:52
新東東層出不窮！
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2013-01-27 11:00
@ta7698
新東東層出不窮！

20年以前，這個東西就已經(jīng)試產(chǎn)了，方向是對的，但屢敗屢戰(zhàn)，種種問題

現(xiàn)在富士通估計(jì)仍是試產(chǎn)性質(zhì)，應(yīng)該是1200V10A以內(nèi)的小功率

在英飛凌和仙童沒有量產(chǎn)以前，這些消息，基本都是不可信的，我上面說了，這個東西，估計(jì)十幾內(nèi)很難普及，價高量低

參見現(xiàn)在的IGBT和mosfet技術(shù)，走在前面的，還是歐美大廠

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累格
LV.2
8
2013-01-28 11:05

也只能是富士通這樣的企業(yè)才能做到這樣的創(chuàng)新技術(shù)——有前沿基礎(chǔ)研究，有自己的模擬生產(chǎn)工藝技術(shù)和半導(dǎo)體生產(chǎn)廠，對于沒有這些資源的電源IC商，永遠(yuǎn)都會被甩出N條街。

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2013-01-28 11:17
@累格
也只能是富士通這樣的企業(yè)才能做到這樣的創(chuàng)新技術(shù)——有前沿基礎(chǔ)研究，有自己的模擬生產(chǎn)工藝技術(shù)和半導(dǎo)體生產(chǎn)廠，對于沒有這些資源的電源IC商，永遠(yuǎn)都會被甩出N條街。[圖片]
我也覺得新材料半導(dǎo)體器件,應(yīng)該快進(jìn)入市場了.
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2013-01-28 11:21
@累格
也只能是富士通這樣的企業(yè)才能做到這樣的創(chuàng)新技術(shù)——有前沿基礎(chǔ)研究，有自己的模擬生產(chǎn)工藝技術(shù)和半導(dǎo)體生產(chǎn)廠，對于沒有這些資源的電源IC商，永遠(yuǎn)都會被甩出N條街。[圖片]

``

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glf680409
LV.8
11
2013-01-29 10:53

有量產(chǎn)的公司. 主要的還有驅(qū)動芯片不多,因?yàn)轵?qū)動要很低,5v左右.目前TI有驅(qū)動芯片

價格比碳化硅在低的,只是產(chǎn)品還不豐富...型號不多

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Jiaing
LV.2
12
2013-01-31 12:48
@pouer
真沒聽說過，低調(diào)的創(chuàng)新，PF

正在用他們家的TRIAC可調(diào)光LED驅(qū)動方案，貌似與這個技術(shù)不沾邊。。。。

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2013-02-04 16:25
@glf680409
有量產(chǎn)的公司.主要的還有驅(qū)動芯片不多,因?yàn)轵?qū)動要很低,5v左右.目前TI有驅(qū)動芯片價格比碳化硅在低的,只是產(chǎn)品還不豐富...型號不多
只要有一家跨出了第一步,肯定很多人跟進(jìn)
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2013-02-05 14:52
效率又可以向前跨一步了。。。。
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jiakecong
LV.2
15
2013-02-06 15:57

富士通半導(dǎo)體牛x！功率半導(dǎo)體一直以來鮮有創(chuàng)新，希望能促進(jìn)電源技術(shù)的革新，實(shí)現(xiàn)功率器件的小型化以及便攜終端的小型化和待機(jī)時間革命性突破

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nk6108
LV.8
16
2013-02-09 00:34
早在2006年已有用 雙異質(zhì)BJT 的直流轉(zhuǎn)換器，250MHz、3W、效率70%。
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cruicty
LV.3
17
2013-02-17 10:11
@jiakecong
富士通半導(dǎo)體牛x！功率半導(dǎo)體一直以來鮮有創(chuàng)新，希望能促進(jìn)電源技術(shù)的革新，實(shí)現(xiàn)功率器件的小型化以及便攜終端的小型化和待機(jī)時間革命性突破

很重要的突破?；诠杌宓牡壖夹g(shù)其實(shí)應(yīng)用很寬，目前很多科研機(jī)構(gòu)在研究新型覆蓋層的氮化鎵LED，這種覆蓋層模擬了螢火蟲發(fā)光器結(jié)構(gòu)，可以將LED的光提取效率提高50%以上。如果富士通能將這個技術(shù)成功用在LED材料上，市場非?？捎^（貌似LED材料工藝就主要掌握在日本企業(yè)）

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semira
LV.2
18
2013-02-18 12:13
@cruicty
很重要的突破。基于硅基板的氮化鎵技術(shù)其實(shí)應(yīng)用很寬，目前很多科研機(jī)構(gòu)在研究新型覆蓋層的氮化鎵LED，這種覆蓋層模擬了螢火蟲發(fā)光器結(jié)構(gòu)，可以將LED的光提取效率提高50%以上。如果富士通能將這個技術(shù)成功用在LED材料上，市場非?？捎^（貌似LED材料工藝就主要掌握在日本企業(yè)）

富士通的功率半導(dǎo)體技術(shù)很強(qiáng)大啊，去年富士通就宣布開發(fā)的新工藝可以使電壓閾值下降至0.4V左右，同樣可能是革命性的技術(shù)突破，不過好像還未量產(chǎn)。

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transphorm
LV.2
19
2014-10-20 11:12
@nk6108
早在2006年已有用雙異質(zhì)BJT的直流轉(zhuǎn)換器，250MHz、3W、效率70%。

氮化鎵MOSFET的資料在附件。

功能超級強(qiáng)大

主要的料號為

TPH3002PS

TPH3002PD

TPH3002LD

TPH3002LS

TPH3006PS

TPH3006PD

TPH3006LD

TPH3006LS

氮化鎵MOSFET介紹.pdf

200K LLC+PFC 250W 95.4%效率.pdf

1500W PV逆變應(yīng)用-微型逆變器-UPS方案.pdf

有些IE/瀏覽器不支持附件下載，請下載google chrome，它支持所有下載。

本人親測。請理解與支持?；蚰阕约合螺d試下其它的IE瀏覽器。

有安裝 迅雷 的朋友，可以點(diǎn)擊右鍵下載，這樣更快。

更多資料請從這里下載： http://pan.baidu.com/s/1sjyPuOX

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nk6108
LV.8
20
2014-11-21 01:01
@transphorm
氮化鎵MOSFET的資料在附件。功能超級強(qiáng)大主要的料號為TPH3002PSTPH3002PDTPH3002LDTPH3002LSTPH3006PSTPH3006PDTPH3006LDTPH3006LS氮化鎵MOSFET介紹.pdf200KLLC+PFC250W95.4%效率.pdf1500WPV逆變應(yīng)用-微型逆變器-UPS方案.pdf有些IE/瀏覽器不支持附件下載，請下載googlechrome，它支持所有下載。本人親測。請理解與支持?；蚰阕约合螺d試下其它的IE瀏覽器。有安裝迅雷的朋友，可以點(diǎn)擊右鍵下載，這樣更快。[圖片]更多資料請從這里下載： http://pan.baidu.com/s/1sjyPuOX

現(xiàn)在還有這種哩

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王世巖
LV.1
21
2023-09-06 17:52
@米山人家
十年內(nèi)不會普及吧它性能再好，成本也拼不過硅片的價格估計(jì)都不會在一個數(shù)量級內(nèi)

十年過去了，氮化鎵依舊很貴，沒普及

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