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BOOST電路中IGBT振蕩的原因

我做了一個(gè)變頻BOOST電路,加低載時(shí)IGBT的C.E波形好,頻率低,如圖: 

加大負(fù)載后C.E波形在IGBT關(guān)斷后有振蕩,如圖:  

有遇到過此現(xiàn)象的嗎,能說說原因,如何調(diào)整整?

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735575630
LV.5
2
2013-01-18 12:58

是升壓電感跟Cds產(chǎn)生了諧振吧？這波形的前端跟反激電源的MOSFET的波形差不多

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2013-01-18 13:23
@735575630
是升壓電感跟Cds產(chǎn)生了諧振吧？這波形的前端跟反激電源的MOSFET的波形差不多
樓上說的對，還有一個(gè)就是BOOST二極管的導(dǎo)通時(shí)間也要十來個(gè)ns..
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735575630
LV.5
4
2013-01-18 13:32
@dreamer662006
樓上說的對，還有一個(gè)就是BOOST二極管的導(dǎo)通時(shí)間也要十來個(gè)ns..
在DS兩端并個(gè)電容，有什么現(xiàn)象？？
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wen88
LV.6
5
2013-01-18 15:11
@dreamer662006
樓上說的對，還有一個(gè)就是BOOST二極管的導(dǎo)通時(shí)間也要十來個(gè)ns..
我做的是無源無損軟開關(guān)功率因素較正電路(變頻控制).如圖: 有人做過嗎,如何改進(jìn)?
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swithken
LV.5
6
2013-01-28 21:08
@wen88
我做的是無源無損軟開關(guān)功率因素較正電路(變頻控制).如圖:[圖片] 有人做過嗎,如何改進(jìn)?

把你試驗(yàn)的實(shí)物拍個(gè)照片看看，振蕩通常跟器件特性和寄生參數(shù)關(guān)系很大

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2013-01-29 09:03
@wen88
我做的是無源無損軟開關(guān)功率因素較正電路(變頻控制).如圖:[圖片] 有人做過嗎,如何改進(jìn)?
L1和C5&C6&C7這些電容震蕩引起。
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wen88
LV.6
8
2013-01-29 16:33
@swithken
把你試驗(yàn)的實(shí)物拍個(gè)照片看看，振蕩通常跟器件特性和寄生參數(shù)關(guān)系很大
謝謝,我明天拍了照片傳上來
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wen88
LV.6
9
2013-01-29 16:34
@dreamer662006
L1和C5&C6&C7這些電容震蕩引起。
謝謝
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wen88
LV.6
10
2013-01-30 09:00
@swithken
把你試驗(yàn)的實(shí)物拍個(gè)照片看看，振蕩通常跟器件特性和寄生參數(shù)關(guān)系很大
 后級為逆變電源,恒流特性 ,PFC開關(guān)頻率上至20KHz以上后就有此(IGBT的C E波形)振蕩現(xiàn)象
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wen88
LV.6
11
2013-03-15 17:13
@dreamer662006
L1和C5&C6&C7這些電容震蕩引起。

是的,把散件都裝在PCB板上后,效果好多了,再此謝謝.改后波形.說明做的是變頻的.  

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