因為最近關于mosfet的工作原理很是糾結,想驗證一下mosfet能不能雙向?qū)?,根?jù)電流波形圖
似乎能得到電流可以雙向?qū)ǖ倪@個結論。
請高手指點迷津,關于mosfet網(wǎng)上有人說可以雙向也有人說只能單向,困惑呀 。
MOSFET VDS接負電壓使用
1. N-Channel MOSFET的制造工藝
N-Channel MOSFET是以一塊雜質(zhì)濃度較高的P型硅片作襯底,擴散/外延2個N+區(qū)作電極,分別為D/S.在D/S間的絕緣層上再制造一層G.
當G/S間加正電壓時,由于絕緣層的存在,沒有電流流過,但是柵極被充電而聚集正電荷,P型襯底中的多子空穴被正電荷排斥而在表面留下帶負電的耗盡層.
當Vgs增加時,耗盡層加寬.繼續(xù)加大超過Vgs(th)時,襯底中的電子被正電荷吸引至表面,在耗盡層和絕緣層間行成反型層.這個反型層就是導電的溝道.
2. N-Channel MOSFET 電流的形成
由N-Channel MOSFET的制造工藝可以看到,導電溝道的形成是靠Vgs,只要在gs之間增加高過門檻的電壓,就會在D,S之間形成導電溝道。此時,只要在D,S間加電壓就有電流流過。電流的方向由D,S間電壓電位差決定:在D,S之間增加正電壓,電流由D流向S;在D,S之間增加負電壓,電流由S流向D;
3. 寄生二極體從何而來?
一般MOSFET出廠時,通常會將源極S和襯底短路以降低導電溝道形成的門檻電壓,這樣在源極就通過襯底同D極之間形成PN結,即我們常說的寄生二極體
4. V(DS)為負時,電流是否從寄生二極體流過?
在D,S之間增加負電壓時,由I*Rds(on)
5. 為何一般規(guī)格書中都沒有反向?qū)ǖ囊?guī)格
我們所看的一般文檔都是著重闡明如何去控制MOSFET的開通和關斷,而規(guī)格書中一般給出的是D電壓高于S,而不是S高于D,因為后者相當于MOSFET處于失控狀態(tài).
6. 結論:
由以上闡述可知:MOSFET的電流是可以雙向流動的且正向?qū)ê头聪驅(qū)ň哂邢嗤奶匦浴?/span>
雖然我說不出原因,但是我感覺正方向?qū)娏鞯哪芰κ遣煌模?/p>