如圖所示 用的是IR公司的IRF630所搭的電路，
因為最近關于mosfet的工作原理很是糾結，想驗證一下mosfet能不能雙向?qū)?，根?jù)電流波形圖
似乎能得到電流可以雙向?qū)ǖ倪@個結論。
請高手指點迷津，關于mosfet網(wǎng)上有人說可以雙向也有人說只能單向，困惑呀 。
mosfet是雙向的么
全部回復(4)
正序查看
倒序查看
@nod32-a
拋開漏源之間的方向二極管不說，單從原理上來說是可以的，柵源電壓大于開啟電壓，導電溝道便形成，也沒有規(guī)定漏極電壓一定要高羽柵極電壓，所以應該是可以正反導通的，但是我想正反導通電流的能力應該是有區(qū)別的。
MOSFET VDS接負電壓使用
1. N-Channel MOSFET的制造工藝
N-Channel MOSFET是以一塊雜質(zhì)濃度較高的P型硅片作襯底,擴散/外延2個N+區(qū)作電極,分別為D/S.在D/S間的絕緣層上再制造一層G.
當G/S間加正電壓時,由于絕緣層的存在,沒有電流流過,但是柵極被充電而聚集正電荷,P型襯底中的多子空穴被正電荷排斥而在表面留下帶負電的耗盡層.
當Vgs增加時,耗盡層加寬.繼續(xù)加大超過Vgs(th)時,襯底中的電子被正電荷吸引至表面,在耗盡層和絕緣層間行成反型層.這個反型層就是導電的溝道.
2. N-Channel MOSFET 電流的形成
由N-Channel MOSFET的制造工藝可以看到,導電溝道的形成是靠Vgs,只要在gs之間增加高過門檻的電壓，就會在D,S之間形成導電溝道。此時，只要在D,S間加電壓就有電流流過。電流的方向由D,S間電壓電位差決定：在D,S之間增加正電壓，電流由D流向S；在D,S之間增加負電壓，電流由S流向D；
3. 寄生二極體從何而來？
一般MOSFET出廠時，通常會將源極S和襯底短路以降低導電溝道形成的門檻電壓，這樣在源極就通過襯底同D極之間形成PN結，即我們常說的寄生二極體
4. V（DS）為負時，電流是否從寄生二極體流過？
在D,S之間增加負電壓時，由I*Rds(on)
5. 為何一般規(guī)格書中都沒有反向?qū)ǖ囊?guī)格
我們所看的一般文檔都是著重闡明如何去控制MOSFET的開通和關斷，而規(guī)格書中一般給出的是D電壓高于S,而不是S高于D,因為后者相當于MOSFET處于失控狀態(tài).
6. 結論：
由以上闡述可知：MOSFET的電流是可以雙向流動的且正向?qū)ê头聪驅(qū)ň哂邢嗤奶匦浴?/span>
1
回復
@roc918
MOSFETVDS接負電壓使用 1. N-ChannelMOSFET的制造工藝N-ChannelMOSFET是以一塊雜質(zhì)濃度較高的P型硅片作襯底,擴散/外延2個N+區(qū)作電極,分別為D/S.在D/S間的絕緣層上再制造一層G. 當G/S間加正電壓時,由于絕緣層的存在,沒有電流流過,但是柵極被充電而聚集正電荷,P型襯底中的多子空穴被正電荷排斥而在表面留下帶負電的耗盡層.當Vgs增加時,耗盡層加寬.繼續(xù)加大超過Vgs(th)時,襯底中的電子被正電荷吸引至表面,在耗盡層和絕緣層間行成反型層.這個反型層就是導電的溝道. 2.N-ChannelMOSFET 電流的形成由N-ChannelMOSFET的制造工藝可以看到,導電溝道的形成是靠Vgs,只要在gs之間增加高過門檻的電壓，就會在D,S之間形成導電溝道。此時，只要在D,S間加電壓就有電流流過。電流的方向由D,S間電壓電位差決定：在D,S之間增加正電壓，電流由D流向S；在D,S之間增加負電壓，電流由S流向D； 3. 寄生二極體從何而來？一般MOSFET出廠時，通常會將源極S和襯底短路以降低導電溝道形成的門檻電壓，這樣在源極就通過襯底同D極之間形成PN結，即我們常說的寄生二極體 4. V（DS）為負時，電流是否從寄生二極體流過？在D,S之間增加負電壓時，由I*Rds(on)
雖然我說不出原因，但是我感覺正方向?qū)娏鞯哪芰κ遣煌模?/p>
0
回復
