量一下Q1的VGS

你看下驅(qū)動(dòng)有沒有關(guān)斷不就知道了嗎／

第一，要用示波器測G電壓，不能用萬用表測。

第二，MOSFET擊穿的可能性也是有的。

第三，R1電阻太小，應(yīng)該取100k

我用L6563+L6599，也是用的這樣的啟動(dòng)電路，也是同樣的問題，燒啟動(dòng)電阻，一直沒有找到問題，

謝謝大家的回復(fù)，原因找到了。呵呵

是因?yàn)檫x的MOS管耐壓偏低，MOS體二極管導(dǎo)通了，所以啟動(dòng)后MOS沒有完全關(guān)斷造成

 的。

沒有理解，能請樓主詳細(xì)說說是怎么耐壓不夠呢？

我估計(jì)不是體二級管導(dǎo)通，是GS極就擊穿了。

推測樓主換了個(gè)耐壓更高的MOSFET管，耐壓更高同時(shí)VGS耐壓也可能高了一些，干好解決了這個(gè)問題。但沒有徹底斷根，如果C2電容用久了變小了，MOSFET的S極電壓抬得更高的時(shí)候可能又會(huì)發(fā)生擊穿的情況。

如果是體二極管擊穿，那就是400V灌到電容上了，這樣樓主早都發(fā)現(xiàn)12V電壓不正常了。

你好，我也是遇到同樣的問題，產(chǎn)品在老化的過種中燒啟動(dòng)電阻，每做一批都會(huì)有8%的不良率，一直還沒有找到真正的原因，我的MOS跟樓主的不一樣，我的MOS用的是ST的2N60，同部結(jié)構(gòu)是這樣的， 會(huì)不會(huì)也是MOS的問題，怎么GS之間還有2個(gè)穩(wěn)壓管？

請教？

剛開始用的是一個(gè)200V的Mos管，現(xiàn)在換了一個(gè)600V 1A的MOS?，F(xiàn)在看還沒出現(xiàn)過問題。