本人欲調(diào)試一個管壓降探測保護的電路，在設(shè)定保護動作時間時遇到了一個計算問題，由于此種方法在論壇中未見有師傅介紹具體調(diào)試方法，只能憑自己粗淺的認識猜測一二，如有錯誤疏漏還請各位指正：

       由于H橋驅(qū)動存在死區(qū)時間，在死區(qū)時間內(nèi)下管D級電壓為母線電壓一半，此時保護時間取避開死區(qū)時間誤動作的最小值。

再有網(wǎng)上見到的一份關(guān)于保護時間的計算公式：

Tj = Tc + P × Rth(jc)

其中：

Tc：MOSFET表面溫度

Tj：MOSFET結(jié)點溫度

Rth（jc）：結(jié)點至表面的熱阻，可從元器件Date sheet中查得。

這里以STM45NM60為例，正常工作電流取10A  H橋正常工作取Tc=30度    P=I2*Ron=100*0.11=11度

則Tj=41度

MOSFET最高結(jié)點溫度取150度    則Trising=Tjmax-Tj=150-41=109度

對于MOSFET溫升計算公式

Trising=Pshort*Zjc*Rth（jc）

Zjc為熱阻系數(shù)

Pshort為短路時mosfet耗散功率

用此公式求得   Zjc=Trising/Pshort/Rth(jc)

這里問題來了   假如我設(shè)定管壓降動作電壓為4.4v    那么對應(yīng)短路電流上升至40A時，保護動作，此處計算mosfet短路耗散功率是否是用P=U/2*Ishort(U為直流母線電壓),還是用P=I*I*Rds（on）？如果是前者  那么繼續(xù)以下推倒：

  又公式求得Zjc=109/(40*200)/0.3=0.045

再由表查得對應(yīng)的最大單脈沖作用時間：

這里得到大概短路時間不超過100us就可以滿足要求，再取保護時間大于死區(qū)時間再留有一定余量即為保護動作時間。

如果短路耗散功率使用I*I*Rds計算的話誤差會非常大，那么請問一下大家  這個計算方法是否正確？如果不正確，還請大家指點一下該如何計算？