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【討論】反激變壓器磁飽和與輸入電壓關(guān)系?

請教各位:同樣負(fù)載條件下,反激變壓器在高電壓輸入容易磁飽和還是低電壓輸入容易磁飽和?

初級(jí)電流,高壓輸入時(shí)di/dt較大,而低壓輸入時(shí)直流分量較大,同樣是影響磁飽和的因素。

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aczg01987
LV.10
2
2012-11-01 06:28
低壓易飽和
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2012-11-01 08:45

是否飽和是看Bmax。對應(yīng)于峰值電流。

對于始終工作于DCM的反激來說,相同負(fù)載下高低壓的峰值電流是一樣的。

對于低壓工作于CCM而高壓工作于DCM的反激來說,DCM時(shí)的峰值電流大于CCM,因此高壓時(shí)更容易飽和。

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zhenxiang
LV.10
4
2012-11-01 08:52
@fly
是否飽和是看Bmax。對應(yīng)于峰值電流。對于始終工作于DCM的反激來說,相同負(fù)載下高低壓的峰值電流是一樣的。對于低壓工作于CCM而高壓工作于DCM的反激來說,DCM時(shí)的峰值電流大于CCM,因此高壓時(shí)更容易飽和。

對于始終工作于DCM的反激來說,相同負(fù)載下高低壓的峰值電流是一樣的。

請問這個(gè)如何解釋,那如果是一樣的為什么低壓輸入時(shí)電流模式控制的限流點(diǎn)要比高壓輸入時(shí)低呢。

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2012-11-01 10:05
@zhenxiang
對于始終工作于DCM的反激來說,相同負(fù)載下高低壓的峰值電流是一樣的。請問這個(gè)如何解釋,那如果是一樣的為什么低壓輸入時(shí)電流模式控制的限流點(diǎn)要比高壓輸入時(shí)低呢。

對于DCM的反激來說,其輸出的能量等于開關(guān)管開通時(shí)變壓器存儲(chǔ)的能量,變壓器存儲(chǔ)的能量Pin=0.5Lm*Ipk*Ipk*fs,因此輸出功率Po=Pin*效率。從這個(gè)式子可以看出,峰值電流只和輸出功率、原邊電感量、頻率有關(guān)。一定要和輸入電壓扯上關(guān)系的話,只能是高低壓時(shí)效率不同了,當(dāng)然這個(gè)效率差別有多大,要看你自身的設(shè)計(jì)了。從原理上來說,DCM的反激原邊峰值電流和輸入電壓是沒有關(guān)系的,這個(gè)你可以自己做個(gè)測試。

你所說的低壓輸入時(shí)電流模式控制的限流點(diǎn)要比高壓輸入時(shí)低的問題是由于通常情況下,反激在低壓重載的時(shí)候是CCM工作的,峰值電流比DCM時(shí)小。

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zhenxiang
LV.10
6
2012-11-01 10:30
@fly
對于DCM的反激來說,其輸出的能量等于開關(guān)管開通時(shí)變壓器存儲(chǔ)的能量,變壓器存儲(chǔ)的能量Pin=0.5Lm*Ipk*Ipk*fs,因此輸出功率Po=Pin*效率。從這個(gè)式子可以看出,峰值電流只和輸出功率、原邊電感量、頻率有關(guān)。一定要和輸入電壓扯上關(guān)系的話,只能是高低壓時(shí)效率不同了,當(dāng)然這個(gè)效率差別有多大,要看你自身的設(shè)計(jì)了。從原理上來說,DCM的反激原邊峰值電流和輸入電壓是沒有關(guān)系的,這個(gè)你可以自己做個(gè)測試。你所說的低壓輸入時(shí)電流模式控制的限流點(diǎn)要比高壓輸入時(shí)低的問題是由于通常情況下,反激在低壓重載的時(shí)候是CCM工作的,峰值電流比DCM時(shí)小。
感謝您的認(rèn)真回復(fù),就是這幾句;變壓器存儲(chǔ)的能量Pin=0.5Lm*Ipk*Ipk*fs,因此輸出功率Po=Pin*效率.就把問題說清楚了。佩服。
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r2271297
LV.6
7
2012-11-01 10:54
@fly
是否飽和是看Bmax。對應(yīng)于峰值電流。對于始終工作于DCM的反激來說,相同負(fù)載下高低壓的峰值電流是一樣的。對于低壓工作于CCM而高壓工作于DCM的反激來說,DCM時(shí)的峰值電流大于CCM,因此高壓時(shí)更容易飽和。

"對于低壓工作于CCM而高壓工作于DCM的反激來說,DCM時(shí)的峰值電流大于CCM,因此高壓時(shí)更容易飽和。"

對于這點(diǎn)我沒語言了~~已經(jīng)不知道糾正多少次了,好吧再說一次,對于一個(gè)電源,當(dāng)進(jìn)入CCM時(shí),峰值電流肯定是要大于在DCM的時(shí)候!

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2012-11-01 11:28
@r2271297
"對于低壓工作于CCM而高壓工作于DCM的反激來說,DCM時(shí)的峰值電流大于CCM,因此高壓時(shí)更容易飽和。"對于這點(diǎn)我沒語言了~~已經(jīng)不知道糾正多少次了,好吧再說一次,對于一個(gè)電源,當(dāng)進(jìn)入CCM時(shí),峰值電流肯定是要大于在DCM的時(shí)候!
請說出你的依據(jù)
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zhenxiang
LV.10
9
2012-11-01 11:49
@fly
請說出你的依據(jù)

討論越來越有意思了、

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r2271297
LV.6
10
2012-11-01 11:50
@fly
請說出你的依據(jù)

這個(gè)早就有結(jié)論的,不想再多說了 ,你可以參考這個(gè)帖子http://bbs.dianyuan.com/topic/640315  里面我多次提到,有計(jì)算,有圖示!

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zhenxiang
LV.10
11
2012-11-01 15:49
@r2271297
這個(gè)早就有結(jié)論的,不想再多說了,你可以參考這個(gè)帖子http://bbs.dianyuan.com/topic/640315 里面我多次提到,有計(jì)算,有圖示!
歡迎來討論這個(gè)問題。我個(gè)人是覺得其它條件不變,在輸入電壓越低時(shí)越容易飽和。所以計(jì)算反激變壓器都是按最低輸入電壓來計(jì)算感量和匝數(shù)的呀。但FLY老師說的也有道理。還請繼續(xù)討論
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繆法
LV.4
12
2012-11-01 21:12
@fly
對于DCM的反激來說,其輸出的能量等于開關(guān)管開通時(shí)變壓器存儲(chǔ)的能量,變壓器存儲(chǔ)的能量Pin=0.5Lm*Ipk*Ipk*fs,因此輸出功率Po=Pin*效率。從這個(gè)式子可以看出,峰值電流只和輸出功率、原邊電感量、頻率有關(guān)。一定要和輸入電壓扯上關(guān)系的話,只能是高低壓時(shí)效率不同了,當(dāng)然這個(gè)效率差別有多大,要看你自身的設(shè)計(jì)了。從原理上來說,DCM的反激原邊峰值電流和輸入電壓是沒有關(guān)系的,這個(gè)你可以自己做個(gè)測試。你所說的低壓輸入時(shí)電流模式控制的限流點(diǎn)要比高壓輸入時(shí)低的問題是由于通常情況下,反激在低壓重載的時(shí)候是CCM工作的,峰值電流比DCM時(shí)小。
對于定頻的PWM控制器來說,Ipk值相同應(yīng)該沒錯(cuò);對于變頻的PFM控制器來說,高壓時(shí)工作頻率fs比較小,假設(shè)Pin恒定,Ipk值越大,應(yīng)該越容易進(jìn)入飽和吧?
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繆法
LV.4
13
2012-11-01 21:37
@r2271297
這個(gè)早就有結(jié)論的,不想再多說了,你可以參考這個(gè)帖子http://bbs.dianyuan.com/topic/640315 里面我多次提到,有計(jì)算,有圖示!
之前也看過類似的討論,但在實(shí)際設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí)發(fā)現(xiàn)高壓輸入上電瞬間出現(xiàn)了磁飽和,原因是啟動(dòng)瞬間占空比和頻率都達(dá)到最大,根據(jù)U=L*di/dt,高壓條件下di/dt達(dá)到最大,電流Ipk值也比低壓時(shí)高,更容易進(jìn)入磁飽和。
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繆法
LV.4
14
2012-11-03 15:25
@繆法
之前也看過類似的討論,但在實(shí)際設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí)發(fā)現(xiàn)高壓輸入上電瞬間出現(xiàn)了磁飽和,原因是啟動(dòng)瞬間占空比和頻率都達(dá)到最大,根據(jù)U=L*di/dt,高壓條件下di/dt達(dá)到最大,電流Ipk值也比低壓時(shí)高,更容易進(jìn)入磁飽和。

頂上去防沉了

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dulai1985
LV.10
15
2012-11-04 00:05
@繆法
頂上去防沉了[圖片]
不一定把~~我覺得FLY說的不叫全面~~
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dulai1985
LV.10
16
2012-11-06 23:47
@dulai1985
不一定把~~我覺得FLY說的不叫全面~~
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