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推挽升壓開機(jī)瞬間MOS的VDS的尖峰

這次的逆變器,發(fā)現(xiàn)開機(jī)經(jīng)常燒壞推挽的MOS,最后發(fā)現(xiàn)在開機(jī)時候MOS的VDS會有很大尖峰電壓,正常穩(wěn)定工作了就沒有尖峰,初步分析是開機(jī)瞬間由于斷續(xù)的問題,但是也高的特別離譜超過了MOS耐壓很多,大家有什么好的改善方法分享下,甚謝!

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2012-10-25 18:28

老兄,還在推挽?。?!

我剛剛開始弄推挽的時候,那是幾年前的事情了,老是炸壞管子,原因就是你上頭說的那個一摸一樣的問題,開機(jī)的時候VDS燒掉MOSFET。

為了這個問題,我做了N多試驗(yàn),最后發(fā)現(xiàn)有一個方式可以很好的解決這個問題。

開機(jī)的時候,VGS的驅(qū)動波形一定要慢,這個時候因?yàn)槭擒泦舆^程,占空比很小的,所以這個時候VGS的波形可以放的非常緩慢,此時VDS電壓會平穩(wěn)的上升,而不會有很大的尖峰。等過了這個時間段,就可以正常的開關(guān)MOSFET了,

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2012-10-25 19:08
@lizlk
[圖片]老兄,還在推挽啊?。∥覄倓傞_始弄推挽的時候,那是幾年前的事情了,老是炸壞管子,原因就是你上頭說的那個一摸一樣的問題,開機(jī)的時候VDS燒掉MOSFET。為了這個問題,我做了N多試驗(yàn),最后發(fā)現(xiàn)有一個方式可以很好的解決這個問題。開機(jī)的時候,VGS的驅(qū)動波形一定要慢,這個時候因?yàn)槭擒泦舆^程,占空比很小的,所以這個時候VGS的波形可以放的非常緩慢,此時VDS電壓會平穩(wěn)的上升,而不會有很大的尖峰。等過了這個時間段,就可以正常的開關(guān)MOSFET了,
張工的方法好??!
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YY2010
LV.4
4
2012-10-26 00:00
@lizlk
[圖片]老兄,還在推挽?。?!我剛剛開始弄推挽的時候,那是幾年前的事情了,老是炸壞管子,原因就是你上頭說的那個一摸一樣的問題,開機(jī)的時候VDS燒掉MOSFET。為了這個問題,我做了N多試驗(yàn),最后發(fā)現(xiàn)有一個方式可以很好的解決這個問題。開機(jī)的時候,VGS的驅(qū)動波形一定要慢,這個時候因?yàn)槭擒泦舆^程,占空比很小的,所以這個時候VGS的波形可以放的非常緩慢,此時VDS電壓會平穩(wěn)的上升,而不會有很大的尖峰。等過了這個時間段,就可以正常的開關(guān)MOSFET了,

是不是加大軟啟動電容

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2012-10-26 08:43
@YY2010
是不是加大軟啟動電容

哎,項(xiàng)目開始說緊,弄個熟悉的推挽可以快點(diǎn)出產(chǎn)品。

看來以后還是用移向全橋算了,即使用推挽還是用單片機(jī)寫軟件控制。這次用了494我都郁悶到極點(diǎn)了。

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2012-10-26 08:45
@lizlk
[圖片]老兄,還在推挽?。?!我剛剛開始弄推挽的時候,那是幾年前的事情了,老是炸壞管子,原因就是你上頭說的那個一摸一樣的問題,開機(jī)的時候VDS燒掉MOSFET。為了這個問題,我做了N多試驗(yàn),最后發(fā)現(xiàn)有一個方式可以很好的解決這個問題。開機(jī)的時候,VGS的驅(qū)動波形一定要慢,這個時候因?yàn)槭擒泦舆^程,占空比很小的,所以這個時候VGS的波形可以放的非常緩慢,此時VDS電壓會平穩(wěn)的上升,而不會有很大的尖峰。等過了這個時間段,就可以正常的開關(guān)MOSFET了,
張工軟啟動我們做電路首選是會考慮的,延時了很久,已經(jīng)發(fā)現(xiàn)不是軟啟動的問題了,增加軟啟動時間還是不改善這個VDS的尖峰。
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2012-10-26 10:33
@zhanghuawei
張工軟啟動我們做電路首選是會考慮的,延時了很久,已經(jīng)發(fā)現(xiàn)不是軟啟動的問題了,增加軟啟動時間還是不改善這個VDS的尖峰。

不是的,老兄,你弄錯了,我說的不是增加軟啟動的時間,軟啟動是需要,但是對此沒有多少用處的。VDS尖峰該大還是會很大的。

我的意思是在軟啟動的這個過程中,將驅(qū)動不要搞得那么太給力了,而是要盡量的軟一些,就等于說,PWM波形上升沿不要那么快,而是讓他緩一點(diǎn),此時VDS尖峰可以達(dá)到一個非常理想的范圍內(nèi),一點(diǎn)都不會超過2倍VCC電壓的。你試試,這是我原來親自試驗(yàn)過的最有效的方法。

過來軟啟動之后,立馬將驅(qū)動PWM盡量搞的給力一點(diǎn),此時就不用擔(dān)心效率問題了。此時VDS也不會過沖了。


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2012-10-26 10:54
@lizlk
不是的,老兄,你弄錯了,我說的不是增加軟啟動的時間,軟啟動是需要,但是對此沒有多少用處的。VDS尖峰該大還是會很大的。我的意思是在軟啟動的這個過程中,將驅(qū)動不要搞得那么太給力了,而是要盡量的軟一些,就等于說,PWM波形上升沿不要那么快,而是讓他緩一點(diǎn),此時VDS尖峰可以達(dá)到一個非常理想的范圍內(nèi),一點(diǎn)都不會超過2倍VCC電壓的。你試試,這是我原來親自試驗(yàn)過的最有效的方法。過來軟啟動之后,立馬將驅(qū)動PWM盡量搞的給力一點(diǎn),此時就不用擔(dān)心效率問題了。此時VDS也不會過沖了。
張工你說的方法如何實(shí)現(xiàn),給點(diǎn)建議?494硬件出的PWM怎么能讓開始啟動輸出的驅(qū)動上升沿慢,啟動后變快,實(shí)現(xiàn)起哪種解決方法好?(我有個小思路,后面的驅(qū)動電阻改變值,也是很麻煩?。?/div>
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2012-10-26 11:10
@zhanghuawei
張工你說的方法如何實(shí)現(xiàn),給點(diǎn)建議?494硬件出的PWM怎么能讓開始啟動輸出的驅(qū)動上升沿慢,啟動后變快,實(shí)現(xiàn)起哪種解決方法好?(我有個小思路,后面的驅(qū)動電阻改變值,也是很麻煩?。?/span>

當(dāng)時我設(shè)計過這個電路,現(xiàn)在我估計找不到了,因?yàn)樽詈笪也]有用這個。

具體是這樣的,PWM經(jīng)過一個電容到地,一般到正常的驅(qū)動圖騰,這個電容會隨著PWM的反復(fù)充電,會慢慢的抬升電位,好像還要加個二極管去隔離下,還要保證每次關(guān)機(jī)之后,這個電容的電要盡快的放掉。這個電容就是用來延緩PWM的上升速度的。

時間太久,我忘記了,好像還有三極管做的一個控制。如果有個單片機(jī),估計這個就非常好解決了。還是建議用單片機(jī)一個IO做這個的控制。

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zhanghuawei
LV.9
10
2012-10-26 15:00
@lizlk
當(dāng)時我設(shè)計過這個電路,現(xiàn)在我估計找不到了,因?yàn)樽詈笪也]有用這個。具體是這樣的,PWM經(jīng)過一個電容到地,一般到正常的驅(qū)動圖騰,這個電容會隨著PWM的反復(fù)充電,會慢慢的抬升電位,好像還要加個二極管去隔離下,還要保證每次關(guān)機(jī)之后,這個電容的電要盡快的放掉。這個電容就是用來延緩PWM的上升速度的。時間太久,我忘記了,好像還有三極管做的一個控制。如果有個單片機(jī),估計這個就非常好解決了。還是建議用單片機(jī)一個IO做這個的控制。
這個是實(shí)現(xiàn)起來很麻煩,早上一氣之下,緩啟時間增加幾倍,貌似問題解決了。
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2012-10-26 15:15
@zhanghuawei
這個是實(shí)現(xiàn)起來很麻煩,早上一氣之下,緩啟時間增加幾倍,貌似問題解決了。[圖片]
問題解決了,好哦
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zhanghuawei
LV.9
12
2012-10-26 16:29
@電源網(wǎng)-fqd
[圖片]問題解決了,好哦[圖片]
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westkinger
LV.4
13
2012-10-27 13:14
@lizlk
當(dāng)時我設(shè)計過這個電路,現(xiàn)在我估計找不到了,因?yàn)樽詈笪也]有用這個。具體是這樣的,PWM經(jīng)過一個電容到地,一般到正常的驅(qū)動圖騰,這個電容會隨著PWM的反復(fù)充電,會慢慢的抬升電位,好像還要加個二極管去隔離下,還要保證每次關(guān)機(jī)之后,這個電容的電要盡快的放掉。這個電容就是用來延緩PWM的上升速度的。時間太久,我忘記了,好像還有三極管做的一個控制。如果有個單片機(jī),估計這個就非常好解決了。還是建議用單片機(jī)一個IO做這個的控制。
看來啟動和保護(hù)都要軟。
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松葉
LV.5
14
2014-12-07 21:18
@westkinger
看來啟動和保護(hù)都要軟。
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dy-p5A6Bd6K
LV.1
15
2022-05-12 10:35

前輩,有沒有其他辦法解決掉這個啟動Vds尖峰問題?

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dy-12bAHCb3
LV.1
16
2024-06-20 16:02

尖峰電壓用一般的RC吸收電路即可,前提是場管一定要是正品。用國產(chǎn)的管子做前級,后級帶個串擊電機(jī),管子很快就擊穿

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