
2025年5月12日,中國——意法半導體的SiC MOSFET和IGBT電隔離車規(guī)柵極驅動器STGAP4S可以靈活地控制不同額定功率的逆變器,集成可設置的安全保護和豐富的診斷功能,確保電驅系統(tǒng)通過ISO 26262 ASIL D認證。STGAP4S驅動器集成模數(shù)轉換器 (ADC) 和反激式電源控制器,功能豐富,取得了功能安全標準認證,適用于設計可擴展的電動汽車電驅系統(tǒng)。
STGAP4S的設計靈活性歸功于輸出電路,該電路允許將高壓功率級連接到外部MOSFET的推挽式緩沖電路,以調整柵極電流。這種架構讓工程師能夠利用STGAP4S及其豐富的功能來控制不同額定功率的逆變器,包括多個功率開關管并聯(lián)的高功率設計。該驅動器僅用非常小的MOSFET,就可以產生高達幾十安的柵極驅動電流,并能夠處理高達1200V的電壓。
在驅動器的重要功能中,先進的診斷功能有助于對安全要求嚴苛的應用達到系統(tǒng)安全完整性標準ISO 26262 D級 (ASIL-D) 認證。自檢功能可以驗證連接的完整性、柵極驅動電壓和去飽和以及過流檢測等內部電路是否正常工作。主控制器通過芯片的SPI端口讀取診斷狀態(tài)寄存器內的數(shù)據(jù)。此外,兩個硬件診斷引腳也可以提供故障狀態(tài)信號。
STGAP4S具有主動米勒箝位、欠壓和過壓鎖定 (UVLO、OVLO) 以及去飽和、過電流和過熱檢測等保護功能,實現(xiàn)穩(wěn)健可靠的設計,滿足嚴格的可靠性要求。該產品具有很高的設計靈活性,準許設計人員通過SPI端口配置一些參數(shù),包括保護閾值、死區(qū)時間、去毛刺濾波。
STAGP4S還集成了一個帶全面保護功能的反激電源控制器,為高壓側電路供電以生成正負柵極驅動電壓,提高SiC MOSFET的開關速度和能效。高壓側和低壓側電路之間有6.4kV的電隔離能力。
EVALSTGAP4S評估板現(xiàn)已上市,板載兩個STGAP4S驅動器,幫助設計人員在半橋應用中評估驅動器的功能。該設計讓用戶能夠輕松地將更多電路板連接在一起,以評估更復雜的拓撲結構,例如,三相逆變器。
STGAP4S現(xiàn)已投入生產,采用SO-36W寬體雙列直插式封裝。產品詳情訪問www.st.com/stgap4s。
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