中國上海，2023年8月29日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。

類似上述的工業(yè)應用通常使用DC 1000V或更低功率，其功率器件多為1200V或1700V產(chǎn)品。然而，預計未來幾年內(nèi)DC 1500V將得到廣泛應用，因此東芝發(fā)布了業(yè)界首款2200V產(chǎn)品。

MG250YD2YMS3具有低導通損耗和0.7V（典型值）的低漏極-源極導通電壓（傳感器）[2]。此外，它還具有較低的開通和關(guān)斷損耗，分別為14mJ（典型值）[3]和11mJ（典型值）[3]，與典型的硅（Si）IGBT相比降低了約90%[4]。這些特性均有助于提高設備效率。由于MG250YD2YMS3可實現(xiàn)較低的開關(guān)損耗，用戶可采用模塊數(shù)量更少的兩電平電路取代傳統(tǒng)的三電平電路，有助于設備的小型化。

東芝將不斷創(chuàng)新，持續(xù)滿足市場對高效率和工業(yè)設備小型化的需求。

應用：

工業(yè)設備

- 可再生能源發(fā)電系統(tǒng)（光伏發(fā)電系統(tǒng)等）

- 儲能系統(tǒng)

- 工業(yè)設備用電機控制設備

- 高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器等設備

特性：

- 低漏極-源極導通電壓（傳感器）：

VDS(on)sense＝0.7V（典型值）（ID＝250A、VGS＝＋20V、Tch＝25℃）

- 低開通損耗：

Eon＝14mJ（典型值）（VDD＝1100V、ID＝250A、Tch＝150℃）

- 低關(guān)斷損耗：

Eoff＝11mJ（典型值）（VDD＝1100V、ID＝250A、Tch＝150℃）

- 低寄生電感：

LsPN＝12nH（典型值）

主要規(guī)格：

（除非另有說明，Ta＝25℃）

注：

[1] 采樣范圍僅限于雙SiC MOSFET模塊。數(shù)據(jù)基于東芝截至2023年8月的調(diào)研。

[2] 測量條件：ID＝250A、VGS＝＋20V、Tch＝25℃

[3] 測量條件：VDD＝1100V、ID＝250A、Tch＝150℃

[4] 截至2023年8月，東芝對2300V Si模塊和新型SiC MOSFET芯片MG250YD2YMS3開關(guān)損耗進行比較（2300V Si模塊的性能值是東芝根據(jù)2023年3月或之前發(fā)表的論文做出的預估）。

如需了解相關(guān)新產(chǎn)品的更多信息，請訪問以下網(wǎng)址：

MG250YD2YMS3

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/sic-mosfet-modules/detail.MG250YD2YMS3.html

如需了解東芝碳化硅功率器件的更多信息，請訪問以下網(wǎng)址：

碳化硅功率器件

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/sic-power-devices.html

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