作者：ADI現(xiàn)場應用技術主管Anton Patyuchenko

問題：

什么是射頻衰減器？如何為我的應用選擇合適的RF衰減器？

答案：

衰減器是一種控制元件，主要功能是降低通過衰減器的信號強度。這種元件一般用于平衡信號鏈中的信號電平、擴展系統(tǒng)的動態(tài)范圍、提供阻抗匹配，以及在終端應用設計中實施多種校準技術。

簡介

本文延續(xù)之前一系列短文，面向非射頻工程師講解射頻技術。ADI將在文中探討IC衰減器，并針對其類型、配置和規(guī)格提出一些見解，旨在幫助工程師更快了解各種IC產(chǎn)品，并為終端應用選擇合適的產(chǎn)品。該系列的相關文章包括：“為應用選擇合適的RF放大器指南”、“如何輕松選擇合適的頻率產(chǎn)生器件”和“RF解密–了解波反射”。

衰減器的類型

從關鍵功能這個角度，衰減器可以分為固定衰減器和可變衰減器，前者的衰減電平保持不變，后者的衰減電平可調(diào)。根據(jù)可變衰減器支持的衰減控制方式，還可以進一步細分為電壓可變衰減器(VVA)和數(shù)字步進衰減器(DSA)，前者采用模擬控制技術，后者采用數(shù)字控制技術。

VVA可以持續(xù)調(diào)節(jié)衰減電平，電平可以設置為給定范圍內(nèi)的任何值。對于自動增益控制電路、校準校正以及其他需要平穩(wěn)、精確地控制信號的處理功能，通常采用模擬可變衰減器。

數(shù)字步進衰減器采用一組離散衰減電平，可以按照預先設置的衰減步長調(diào)節(jié)信號強度。數(shù)字控制RFIC衰減器具有可兼容微控制器的控制接口，并提供出色的解決方案，可用于在復雜設計中保持功能完整性。

設計配置

衰減器IC可以使用電阻、PIN二極管、FET、HEMT和CMOS晶體管，并通過GaAs、GaN、SiC或CMOS技術來實現(xiàn)。圖1顯示了構成各種衰減器設計配置的三種基本拓撲：T型、π型和橋接T型網(wǎng)絡。

圖1.基本的衰減器拓撲：(a) T型，(b) π型，(c)橋接T型網(wǎng)絡。

固定值衰減器利用通過薄膜和厚膜混合技術實現(xiàn)的這些核心拓撲來提供固定衰減電平。

VVA一般使用T型或π型配置，二極管或晶體管元件工作在非線性電阻區(qū)。利用基本元件的電阻特性，通過改變控制電壓來調(diào)節(jié)所需的衰減電平。

DSA通常采用代表單個位的多個級聯(lián)單元，它們可以輸入或輸出，以實現(xiàn)所需的衰減電平。圖2顯示了DSA設計使用的幾種配置示例。其中包括：采用了集成SPDT開關，可通過衰減器和直通線來切換輸入和輸出端口的配置；開關調(diào)節(jié)器件設計，使用晶體管或二極管作為可調(diào)電阻；開關電阻配置，電阻可以切換，在電路中作為輸入或輸出；以及器件嵌入式設計，晶體管或二極管是該設計的組成部分。

圖2.DSA設計配置示例：(a) π型配置，采用集成開關，(b)開關調(diào)節(jié)FET配置，(c)開關電阻配置，(d)FET嵌入式配置。

衰減器拓撲可以用在反射或平衡類型的設計中，原理圖如圖3所示。反射型器件使用同等衰減器，它們連接至3dB正交耦合器的輸出端，一般提供寬動態(tài)范圍。平衡配置使用兩個3dB正交耦合器連接一對完全相同的衰減器，以提供出色的VSWR和功率處理能力。

圖3.(a)反射型和(b)平衡型衰減器設計拓撲。

除了本文中描述的主要設計配置之外，還可使用其他類型的電路來實現(xiàn)IC衰減器元件；但是，本文對這些內(nèi)容不做討論。

主要規(guī)格

為了針對終端應用選擇合適的衰減器，工程師必須深入了解其主要規(guī)格。除了衰減功能和一些基本參數(shù)（例如插入和回波損耗）之外，還有許多其他特性也可用于描述衰減器元件，主要包括：

· 頻率范圍(Hz)：IC保持其指定特性的頻率

· 衰減(dB)：超過插入損耗的抑制量

· 頻率響應：整個頻率范圍(Hz)內(nèi)衰減電平(dB)的變化

· 衰減范圍(dB)：該元件提供的總衰減值

· 輸入線性度(dBm)：通常使用3階交調(diào)點(IP3)表示，IP3定義輸入功率電平的假設點，在該點相應雜散分量的功率將達到與基波分量相同的水平

· 功率處理(dBm)：通常使用輸入1dB壓縮點表示，該點定義了衰減器的插入損耗降低1dB時的輸入功率電平；功率處理特性一般針對穩(wěn)態(tài)和熱切換模式下的平均和峰值輸入功率電平來確定

· 相對相位（度）：由衰減器元件引入信號中的相位偏移

除了這些常用參數(shù)之外，還使用開關特性來描述可變衰減器，通常以ns為單位來描述上升時間和下降時間、導通和關斷時間，以及RF輸出信號的幅度和相位建立時間。此外，每種類型的可變衰減器都有其固有特性。

對于VVA，它們與其模擬控制操作相關，包括：

· 電壓控制范圍(V)：在衰減范圍內(nèi)調(diào)節(jié)衰減電平所需的電壓

· 控制特性一般用衰減斜率(dB/V)和性能曲線表示，從中可以看出，衰減電平與控制電壓成函數(shù)關系

對于DSA，其固有特性包括：

· 衰減精度（也稱為狀態(tài)誤差）(dB)：衰減電平相對于標稱值的變化極限

· 衰減步長(dB)：任何兩個連續(xù)衰減狀態(tài)之間的變化量

· 步進誤差(dB)：衰減步長相對于標稱值的變化極限

· 過沖、下沖(dB)：狀態(tài)轉(zhuǎn)換期間的信號瞬變電平（毛刺）

良好的衰減器元件通常需要在工作頻率范圍內(nèi)提供平坦的衰減性能和出色的VSWR，提供足夠的精度和功率處理能力，并確保在狀態(tài)轉(zhuǎn)換期間實現(xiàn)平穩(wěn)、無毛刺運行（信號僅少量失真），或者是提供線性控制特性。

結論

IC衰減器元件的多樣性當然不限于本文中討論的這些，還可以找出其他類型的IC，包括基于頻率的相位補償衰減器、溫度可變衰減器、帶集成式DAC的可編程VVA等。本文僅介紹了一些常見的IC衰減器類型，主要探討其采用的拓撲和關鍵規(guī)格，以幫助RF設計人員為終端應用選擇合適的元件。

ADI公司提供非常豐富的集成式RF元件。ADI的衰減器IC提供多種架構和尺寸選項，設計人員可以根據(jù)系統(tǒng)要求靈活選擇合適的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品旨在提供出色的性能，實現(xiàn)高度可靠的運行，以滿足儀器儀表、通信、軍用和航空市場各種應用的嚴苛要求。