瑞薩電子(Renesas)的兩相同步GaN升壓控制器與宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）的超高效eGaN® FET相結(jié)合，實現(xiàn)了高功率密度和低成本的DC/DC轉(zhuǎn)換。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出12 V輸入、48 V輸出、500 W的DC/DC演示板（EPC9166）。該演示板展示出瑞薩電子ISL81807 80 V兩相同步升壓控制器和宜普公司最新一代EPC2218 eGaN FET，在開關(guān)頻率為500 kHz的12 V輸入到48 V穩(wěn)壓輸出轉(zhuǎn)換中，效率超過96.5%。輸出電壓可配置為36 V、48 V和60 V。該板在沒有散熱器的情況下，可提供480 W的功率。

穩(wěn)壓DC/DC升壓轉(zhuǎn)換器廣泛用于數(shù)據(jù)中心、計算和汽車應(yīng)用，在其他輸出電壓中，將標(biāo)稱的12 V轉(zhuǎn)換為48 V的配電總線。主要的趨勢是朝著實現(xiàn)更高的功率密度發(fā)展。

eGaN®場效應(yīng)晶體管具有快速開關(guān)、高效率和小尺寸等優(yōu)勢，可以滿足這些前沿應(yīng)用對功率密度的嚴(yán)格要求。EPC2218是市場上最小、效率最高的100 V的 FET。ISL81807是業(yè)界首款集成GaN驅(qū)動器的80 V雙路輸出/兩相（單輸出）同步降壓控制器，可支持高達(dá)2 MHz頻率。ISL81807采用電流模式控制，產(chǎn)生兩個獨立的輸出或一個具有兩個交錯相位的輸出。它支持電流共享，同步并聯(lián)更多的控制器/更多的相位，提高輕負(fù)載的效率和低關(guān)斷電流。ISL81807直接驅(qū)動EPC氮化鎵場效應(yīng)晶體管，實現(xiàn)設(shè)計簡單、元件數(shù)量少和低成本的解決方案。

宜普公司首席執(zhí)行官Alex Lidow說："瑞薩電子的控制器IC讓工程師更容易使用氮化鎵器件。我們很高興與瑞薩電子合作，將其優(yōu)越的控制器與我們的高性能氮化鎵器件結(jié)合起來，共創(chuàng)共贏，為客戶提供采用少量元件的解決方案，以提高效率、增加功率密度和降低系統(tǒng)成本。"

瑞薩電子移動、工業(yè)和基礎(chǔ)設(shè)施電源部門副總裁Andrew Cowell說："瑞薩電子的ISL81807旨在高功率密度解決方案中，充分發(fā)揮GaN FET的高性能。ISL81807降低了GaN解決方案的BOM成本，因為它不需要MCU、電流感應(yīng)運(yùn)算放大器、外部驅(qū)動器或偏置電源。它還具有完全保護(hù)功能且集成了GaN驅(qū)動器。有了ISL81807，使用氮化鎵場效應(yīng)晶體管的設(shè)計就像使用硅基場效應(yīng)晶體管一樣簡單?！?