本期高端訪談的采訪對象是宜普電源轉換公司CEO兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow。

電源網(wǎng)就宜普電源轉換公司新推出的氮化鎵器件及基于氮化鎵器件的ToF lidar技術進行專訪。下面我們將與Alex Lidow一起探討EPC創(chuàng)新的GaN FET設計，GaN FET相對Si MOSFET的優(yōu)勢和發(fā)展趨勢，EPC的解決方案與競爭對手相比的優(yōu)勢，以及EPC eGaN器件前十大市場應用領域等。

電源網(wǎng)：我們知道氮化鎵功率管速度快，頻帶高，但廣泛應用在電源類產(chǎn)品上還是近幾年的事情，請問是基于什么考慮讓EPC選擇將氮化鎵（GaN）技術用作激光驅動器呢？

EPC：宜普電源轉換公司（EPC）的氮化鎵場效應晶體管（eGaN FET）和集成電路可以增強所有ToF技術應用，有四個主要原因：其一，eGaN器件的速度比硅組件快10倍。 速度與成像分辨率和最大的幀速率直接相關；其二，對于相同的芯片尺寸，eGaN FET和集成電路可以產(chǎn)生大約5倍的高電流脈沖。 電流脈沖越高，ToF系統(tǒng)可以清楚看到在更遠距離的物體；其三，與具有相同電流處理能力的硅器件相比，eGaN FET和集成電路的尺寸小5至10倍。 這使得設計工程師可以把eGaN組件放置在更靠近激光器的位置。 組件越近激光器，寄生電感就越小。 寄生電感會限制脈沖速度，從而影響成像分辨率；其四，在相同的額定電壓和電流下，GaN FET和集成電路的成本更低。

在未來，我們將擴展光達IC、DC-DC轉換器IC和電機控制器IC的產(chǎn)品線。 我們還將提升氮化鎵技術平臺的性能，這將為我們的商用和具備高可靠性的離散式場效應晶體管帶來優(yōu)越的質量因子（FOM）。

電源網(wǎng)：相比Si MOSFET，為什么GaN FET可以在器件尺寸、成本、效能、功耗、功率密度都表現(xiàn)更好？

EPC：GaN是寬帶隙半導體（WBG），因此具有許多比硅器件優(yōu)勝的特性。 氮化鎵器件的開關更快、功率更高、尺寸更小且成本更低。 此外，由于氮化鎵器件比硅組件更易于集成，因此我們可以將多個器件集成到一個芯片上，從而進一步提高性能，縮小尺寸，以及降低成本。

電源網(wǎng)：GaN FET的效能相較于Si MOSFET有什么優(yōu)勢？

EPC：GaN器件比MOSFET更快、更小和更具成本效益。 GaN 集成電路將多個功率器件集成在單個芯片（例如EPC2152）上，在大約12 V以上，硅器件則無法實現(xiàn)這一點。這節(jié)省了設計時間和進一步縮小尺寸、降低成本和功耗。

電源網(wǎng)：EPC的解決方案與競爭對手相較有什么優(yōu)勢？

EPC：與專注于600至650 V氮化鎵產(chǎn)品的競爭對手相比，EPC公司專注于為設計工程師提供較低電壓的氮化鎵器件（400 V以下）。 這使EPC的氮化鎵器件更適合光達應用、48 V DC／DC轉換器、馬達控制器和衛(wèi)星等應用。

電源網(wǎng)：EPC GaN FET解決方案主要市場應用領域？未來技術與產(chǎn)品發(fā)展規(guī)劃？

EPC：宜普電源轉換公司的eGaN器件用于數(shù)百種應用中。 其中，排名前十的是ToF激光雷達應用、針對服務器的DC-DC轉換器、針對服務器的AC-DC轉換器的同步整流器輸出、汽車電源系統(tǒng)、機器人、電動自行車、電動踏板車、無人機的電機控制器、衛(wèi)星電源和電機控制器、太陽能微型逆變器、D類音頻系統(tǒng)、醫(yī)學成像系統(tǒng)以及無線電源。