日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出最新第四代 600 V EF 系列快速體二極管 MOSFET 器件 ---SiHH070N60EF。Vishay Siliconix n 溝道 SiHH070N60EF 導(dǎo)通電阻比其前代器件低 29 %，為通信、工業(yè)、計(jì)算和企業(yè)級(jí)電源應(yīng)用提供高效解決方案，同時(shí)柵極電荷下降 60 %，從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中 600 V MOSFET 的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。

Vishay 提供豐富的 MOSFET 技術(shù)支持各級(jí)功率轉(zhuǎn)換，涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種最新高科技系統(tǒng)。隨著 SiHH070N60EF 的推出，以及即將發(fā)布的第四代 600 V EF 系列產(chǎn)品，Vishay 可滿(mǎn)足電源系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)前兩個(gè)階段提高能效和功率密度的要求—包括圖騰柱無(wú)橋功率因數(shù)校正（PFC）和軟切換 DC/DC 轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

SiHH070N60EF 基于 Vishay 最新高能效 E 系列超結(jié)技術(shù)，10 V 條件下典型導(dǎo)通電阻僅為 0.061 Ω，超低柵極電荷降至 50 nC。器件的 FOM 為 3.1 Ω*nC，比同類(lèi)最接近的 MOSFET 低 30 %。這些參數(shù)表明導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗降低，從而節(jié)省能源。SiHH070N60EF 有效輸出電容 Co(er)和 Co(tr)分別僅為 90 pf 和 560 pF，可改善零電壓開(kāi)關(guān)（ZVS）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)開(kāi)關(guān)性能，如 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器。器件的 Co(tr) 比同類(lèi)緊隨其后的 MOSFET 低 32 %。

日前發(fā)布的器件采用 PowerPAK® 8x8 封裝，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素，耐受雪崩模式過(guò)壓瞬變，并保證極限值 100 %通過(guò) UIS 測(cè)試。

SiHH070N60EF 現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為 10 周。