近些年，硅基半導(dǎo)體已經(jīng)越來(lái)越接近材料的物理極限，我們雖不敢斷言未來(lái)硅基半導(dǎo)體難再突破，但是從學(xué)術(shù)端和企業(yè)研發(fā)釋放的信號(hào)來(lái)看，硅基半導(dǎo)體的潛力確實(shí)有限了，未來(lái)突破的方向?qū)⒂l(fā)收窄。

基于這樣的大背景，并且隨著工業(yè)、汽車等市場(chǎng)需求的增加，以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料的重要性與優(yōu)越性逐漸凸顯出來(lái)。以汽車領(lǐng)域?yàn)槔捎赟iC器件能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率和頻率，同時(shí)器件體積大幅度下降，SiC器件對(duì)于IGBT取代的呼聲越來(lái)越高。

在中國(guó)領(lǐng)先的電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、可再生能源及能源管理展覽會(huì)暨研討會(huì)——上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)（PCIM Asia）上，PI高級(jí)應(yīng)用工程師王皓與大家分享了題為《全碳化硅模塊應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)方案》的技術(shù)報(bào)告。

【圖為王皓在PCIM Asia國(guó)際研討會(huì)上發(fā)言】