現(xiàn)如今，網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施與反導(dǎo)雷達等領(lǐng)域都要求使用高性能高功率密度的射頻器件，這使得市場對于射頻氮化鎵（GaN）器件的需求不斷升溫?，F(xiàn)在的無線基站里面，已經(jīng)開始用氮化鎵器件取代硅基射頻器件。氮化鎵受青睞主要是因為它是一種寬禁帶材料（WBG），與硅等傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料相比，它能夠讓器件在更高的電壓、頻率和溫度下運行。有研究表明，未來十年，基于氮化鎵器件的市場總值有望超過10億美元。

作為一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，英飛凌于11月28日下午在深圳舉行“2018年英飛凌CoolGaN?氮化鎵媒體新品發(fā)布會”，推出全新氮化鎵（GaN）解決方案CoolGaN? 600V增強型HEMT和氮化鎵開關(guān)管專用驅(qū)動IC（GaN EiceDRIVER? IC）。英飛凌大中華區(qū)副總裁、電源管理及多元化市場事業(yè)部負(fù)責(zé)人潘大偉，英飛凌科技奧地利股份有限公司電源管理與多元化事業(yè)部資深市場營銷經(jīng)理鄧巍，Bel Power Solutions研發(fā)部電子設(shè)計助理經(jīng)理陳偉進行主題演講。英飛凌管理多元化事業(yè)部負(fù)責(zé)大中華區(qū)電源管理技術(shù)總監(jiān)陳志豪，英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部亞太區(qū)開關(guān)電源高級營銷經(jīng)理陳清源，以及英飛凌科技奧地利股份有限公司電源管理與多元化事業(yè)部主任應(yīng)用工程師張馳出席本次發(fā)布會。

英飛凌大中華區(qū)副總裁、電源管理及多元化市場事業(yè)部負(fù)責(zé)人潘大偉現(xiàn)場演講

“英飛凌是一流的傳感器與雷達技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者。英飛凌電源管理與多元化市場事業(yè)部PMM全球營業(yè)金額的25%在射頻和傳感器市場上。其中，PMM大中華區(qū)占據(jù)全球的57%，”英飛凌大中華區(qū)副總裁、電源管理及多元化市場事業(yè)部負(fù)責(zé)人潘大偉介紹說，我們穩(wěn)健地擴大用于功率半導(dǎo)體的300mm薄晶圓的制造產(chǎn)能。隨著CoolGaN 600V增強型HEMT和GaN EiceDRIVER? 柵極驅(qū)動IC的推出，目前，英飛凌是市場上唯一一家提供涵蓋硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等材料的全系列功率產(chǎn)品的公司。

CoolGaN?——功率半導(dǎo)體行業(yè)的下一個重頭戲

CoolGaN?是英飛凌“氮化鎵（GaN）增強模式高電子遷移率晶體管（E-HEMT ）”產(chǎn)品系列。目標(biāo)應(yīng)用包括服務(wù)器、電信、無線充電、音頻、適配器等。潘大偉先生表示，CoolGaN?非常適合高壓下運行更高頻率的開關(guān)，它將憑借更輕薄設(shè)計，功率密度擴展以及更強的散熱能力，成為打開高效能源之門的鑰匙。同時減小系統(tǒng)尺寸，簡化控制，從而將整個系統(tǒng)的成本降低。英飛凌希望CoolGaN?成為客戶使用GaN材料的首選。

此次發(fā)布會英飛凌推出的CoolGaN? 600V增強型HEMT采用可靠的常閉式概念解決方案，是獲得最長使用壽命的理想之選。它經(jīng)專門優(yōu)化，可實現(xiàn)快速開通和關(guān)斷，可在開關(guān)模式電源（SMPS）中實現(xiàn)高能效和高功率密度，其優(yōu)值系數(shù)（FOM）在當(dāng)前市場上的所有600V器件中首屈一指。CoolGaN開關(guān)的柵極電荷極低，且具有極少輸出電容，可在反向?qū)顟B(tài)下提供優(yōu)異的動態(tài)性能，從而使工作頻率大幅提升，并且可通過縮小被動元器件的總體尺寸，提高功率密度。

英飛凌科技奧地利股份有限公司電源管理與多元化事業(yè)部資深市場營銷經(jīng)理鄧巍為到場來賓介紹了更多英飛凌氮化鎵的優(yōu)勢和其采用的技術(shù)細(xì)節(jié)。CoolGaN? 600V增強型HEMT解決多個業(yè)內(nèi)難題。作為一個常開型器件，將GaN器件設(shè)計成常閉型已很難被客戶所應(yīng)用和接受。所以，英飛凌在技術(shù)細(xì)節(jié)和工藝上做了一些改動，我們在柵極加了P-Gan，做出了一個市場比較容易理解的常關(guān)型器件。P型氮化鎵漏極接觸，避免電流崩潰。

英飛凌科技奧地利股份有限公司電源管理與多元化事業(yè)部資深市場營銷經(jīng)理鄧巍

鄧巍同時表示：“氮化鎵有一個業(yè)界比較棘手的問題叫做動態(tài)RDS(ON)，英飛凌也可以解決這個問題。解決問題的關(guān)鍵在于就是把P-Gan引入，動態(tài)RDS(ON)有很多電子在開關(guān)的時候被漏級的電子陷在里面不流通，這樣會造成有影響。把P-放在這里之后，把表面的電子中和掉，這樣可以從技術(shù)的根本來解決問題，這也是為什么英飛凌可以在工藝領(lǐng)域領(lǐng)先的原因。這個結(jié)構(gòu)只有英飛凌和松下可以用?！庇w凌CoolGaN? 600V增強型HEMT使用壽命遠(yuǎn)大于15年，具有保守的可靠性模型，零動態(tài)Rds(on)，更穩(wěn)健（損耗更?。┑臇艠O理念，以及專門的資質(zhì)認(rèn)證方法，這些都使它成為業(yè)內(nèi)最可靠的氮化鎵HEMT。

同時，為了不抹殺氮化鎵器件在高頻情況下能夠無損耗地進行開關(guān)的優(yōu)勢，鄧巍表示，英飛凌引入了貼片式封裝，貼片式封裝的優(yōu)勢在于進深參數(shù)比較小，可以最大效率地發(fā)揮。英飛凌引入的都是SMD的封裝，區(qū)別在于熱性能不同，頂部散熱的話，它的熱性能更好，但體積更大。英飛凌可以根據(jù)不同的客戶、不同的需求提供不同的產(chǎn)品給他們。英飛凌氮化鎵產(chǎn)品的高研發(fā)投入使我們從工藝層到封裝、測試等等都可以在英飛凌內(nèi)部完成，在單片集成、多片集成等都有建樹。

現(xiàn)階段氮化鎵技術(shù)發(fā)展非常快。從市場的分布來說，電源類產(chǎn)品大概占到整個市場的40%左右。雖然氮化鎵技術(shù)在汽車應(yīng)用上起步較晚，但它成長得非?？?。相信未來，汽車關(guān)于氮化鎵的應(yīng)用潛力將會非常巨大。

高壓氮化鎵增強模式 HEMT由專用氮化鎵驅(qū)動芯片驅(qū)動

英飛凌新推出的氮化鎵開關(guān)管驅(qū)動芯片（GaN EiceDRIVER? IC）是CoolGaN?增強型HEMT的完美搭檔。GaN柵極驅(qū)動IC可實現(xiàn)恒定的GaN HEMT開關(guān)轉(zhuǎn)換速率，幾乎不受工作循環(huán)或開關(guān)速度影響，這可確保運行的穩(wěn)健性和很高能效，大大縮短研發(fā)周期。

不同于傳統(tǒng)功率MOSFET的柵極驅(qū)動IC，這個針對英飛凌CoolGaN?量身定制的柵極驅(qū)動IC可提供負(fù)輸出電壓，以快速關(guān)斷氮化鎵開關(guān)。在開關(guān)應(yīng)處于關(guān)閉狀態(tài)的整個持續(xù)時間內(nèi)，GaN EiceDRIVER? IC可以使柵極電壓穩(wěn)定保持為零。這可保護氮化鎵開關(guān)不受噪音導(dǎo)致誤接通的影響，哪怕是首脈沖，這對于SMPS實現(xiàn)強健運行至關(guān)重要。氮化鎵柵極驅(qū)動IC可實現(xiàn)恒定的GaN HEMT開關(guān)轉(zhuǎn)換速率，幾乎不受工作循環(huán)或開關(guān)速度影響。這可確保運行穩(wěn)健性和很高能效，大大縮短研發(fā)周期。同時它集成了電隔離，可在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中實現(xiàn)強健運行。它還可在SMPS一次側(cè)和二次側(cè)之間提供保護，并可根據(jù)需要在功率級與邏輯級之間提供保護。

鄧巍表示，英飛凌為客戶提供完整的系統(tǒng)解決方案。因為英飛凌的定位不僅是一個器件提供商，而是一家系統(tǒng)解決方案提供商，從驅(qū)動器、開關(guān)到控制器……我們希望是客戶真正的技術(shù)顧問。這也是我們有別于其他競爭對手的優(yōu)勢所在。目前，CoolGaN? 600V+GaN EiceDRIVER?產(chǎn)品組合現(xiàn)已量產(chǎn)。

Bel Power Solutions研發(fā)部電子設(shè)計助理經(jīng)理陳偉

CoolGaN?器件正以其超高能源效率和功率密度樹立新的電源轉(zhuǎn)換標(biāo)桿。在一些應(yīng)用中，氮化鎵技術(shù)具有降低運營成本和資本支出、更高功率密度、減少系統(tǒng)成本等明顯優(yōu)勢。Bel Power Solutions研發(fā)部電子設(shè)計助理經(jīng)理陳偉介紹Bel Power Solutions成功設(shè)計的一款基于GaN的6KW AC-DC電源。其中使用了英飛凌8X8mm封裝的IGLD60R070D1，這種貼片封裝在效率，散熱和空間優(yōu)化方面提供了很好的平衡，從而提供更高效，高功率密度的電源產(chǎn)品。