亞德諾半導(dǎo)體 (Analog Devices, Inc.，簡(jiǎn)稱(chēng) ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 8A、65V 輸入同步降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 LT8645S。其獨(dú)特的 Silent Switcher^? 2 架構(gòu)采用兩個(gè)內(nèi)部輸入電容器以及內(nèi)部 BST 和 INTV_CC 電容器，以最大限度減小熱環(huán)路面積。結(jié)合非常良好受控的開(kāi)關(guān)邊沿和一種具有整體接地平面的內(nèi)部構(gòu)造，并采用銅柱代替了接合線，LT8645S 的設(shè)計(jì)大幅度地降低了 EMI / EMC 輻射。這種改善的 EMI / EMC 性能不容易受到電路板布局的影響，從而簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)和降低了風(fēng)險(xiǎn)，即使在使用兩層 PC 板時(shí)也不例外。在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)開(kāi)關(guān)頻率為 2MHz 的情況下，LT8645S 可以非常容易地滿(mǎn)足汽車(chē) CISPR 25 的 Class 5 峰值 EMI 限制。該器件也提供了擴(kuò)展頻譜頻率調(diào)制功能，以進(jìn)一步降低 EMI / EMC 的值。

LT8645S 的同步整流在 2MHz 開(kāi)關(guān)頻率時(shí)提供高達(dá) 94% 的效率。其 3.4V 至 65V 輸入電壓范圍非常適合雙電池運(yùn)輸、 48V 汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用。內(nèi)部高效率開(kāi)關(guān)可向低至 0.97V 的電壓提供高達(dá) 8A 的連續(xù)輸出電流。LT8645S 的突發(fā)模式 (Burst Mode^?) 運(yùn)行提供僅為 2.5μA 的靜態(tài)電流，非常適合汽車(chē) / 運(yùn)輸中的始終保持接通系統(tǒng)等應(yīng)用，因?yàn)檫@類(lèi)應(yīng)用需要延長(zhǎng)電池運(yùn)行壽命。LT8645S 獨(dú)特的設(shè)計(jì)可在所有條件下保持僅為 60mV (在 1A) 的最低壓差電壓，從而使該器件能夠在汽車(chē)?yán)滠?chē)發(fā)動(dòng)等情況下表現(xiàn)出色。此外，僅為 40ns 的快速最短接通時(shí)間實(shí)現(xiàn)了從 24V 輸入到 2.0V 輸出的 2MHz 恒定頻率切換，從而使設(shè)計(jì)師能夠優(yōu)化效率，同時(shí)避開(kāi)關(guān)鍵噪聲敏感頻段。LT8645S 的 32 引線、4mm x 6mm LQFN 封裝和高開(kāi)關(guān)頻率允許使用小型外部電感器和電容器，因此可構(gòu)成占板面積緊湊和高熱效率的解決方案。

LT8645S 采用了內(nèi)部頂端和底端高效率電源開(kāi)關(guān)，并把必要的升壓二極管、振蕩器、控制和邏輯電路集成在單顆芯片中。低紋波突發(fā)模式運(yùn)行在低輸出電流時(shí)保持高效率，同時(shí)保持輸出紋波低于 10mV_P-P。就需要以最低噪聲運(yùn)行的應(yīng)用而言，LT8645S 可設(shè)定為以脈沖跳躍模式運(yùn)行。其開(kāi)關(guān)頻率在 200kHz 至 2.2MHz 范圍內(nèi)是可編程和可同步的。特殊設(shè)計(jì)方法和新的高速工藝使該器件在很寬的輸入電壓范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了高效率，而且 LT8645 的電流模式拓?fù)鋵?shí)現(xiàn)了快速瞬態(tài)響應(yīng)和卓越的環(huán)路穩(wěn)定性。其他特點(diǎn)包括內(nèi)部補(bǔ)償、電源良好標(biāo)記、輸出軟啟動(dòng) / 跟蹤和過(guò)熱保護(hù)。

LT8645SEV 采用 4mm x 6mm LQFN 封裝。工業(yè)溫度級(jí)版本 LT8645SIV 經(jīng)過(guò)測(cè)試，可在 –40°C 至 125°C 工作結(jié)溫范圍內(nèi)保證運(yùn)行。千片批購(gòu)價(jià)為每片 5.95 美元，兩種版本均有現(xiàn)貨供應(yīng)。如需更多信息，請(qǐng)登錄 。

照片說(shuō)明：65V、8A (I_OUT)、2.2MHz 同步降壓型穩(wěn)壓器具更低的 EMI / EMC 輻射且遠(yuǎn)低于 CISPR 25 Class 5 的限制

性能概要： LT8645S

· Silent Switcher 2 架構(gòu)

o 在任何 PCB 上均具超低 EMI / EMC 輻射

o 消除了 PCB 布局敏感性

o 用于 V_IN、BST、INTV_CC 的內(nèi)部電容器降低了 EMI 輻射

o 擴(kuò)展頻譜頻率調(diào)制

· 在高頻時(shí)提供高效率

· 1MHz 時(shí)效率高達(dá) 95%

· 2MHz 時(shí)效率高達(dá) 94%

· 寬輸入電壓范圍：3.4V 至 65V

· 8A 最大連續(xù)輸出電流

· 超低靜態(tài)電流突發(fā)模式運(yùn)行

o 2.5μA I_Q 調(diào)節(jié) 12V_IN 至 3.3V_OUT

o 輸出紋波 < 10mV_P-P

· 快速最短開(kāi)關(guān)接通時(shí)間：40ns

· 在所有條件下均可實(shí)現(xiàn)低壓差：60mV (在 1A)

· 可編程脈沖跳躍模式

· 可在過(guò)載情況下安全地承受電感器飽和

· 可調(diào)和可同步：200kHz 至 2.2MHz

· 輸出軟啟動(dòng)和跟蹤

· 小型 32 引線 4mm x 6mm LQFN 封裝