德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機(jī)與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導(dǎo)通電阻 MOSFET。該最新系列 FemtoFET? MOSFET 晶體管采用超小型封裝，支持不足 100 毫歐的導(dǎo)通電阻。

三個(gè) N 通道及三個(gè) P 通道 FemtoFET MOSFET 均采用平面柵格陣列 (LGA) 封裝，與芯片級(jí)封裝 (CSP) 相比，其可將板積空間銳減 40%。CSD17381F4 與 CSD25481F4 支持不足 100 毫歐的導(dǎo)通電阻，比目前市場(chǎng)上類似器件低 70%。所有 FemtoFET MOSFET 均提供超過(guò) 4000V 的人體模型 (HVM) 靜電放電 (ESD) 保護(hù)。

FemtoFET MOSFET 歸屬 TI NexFET 功率 MOSFET 產(chǎn)品系列，該系列還包括適用于手機(jī)等便攜式應(yīng)用的 CSD25213W10 P 通道器件以及 CSD13303W1015 N 通道器件等。TI 提供 LP5907 大電流低壓降 (LDO) 線性穩(wěn)壓器以及 TPS65090 前端電源管理單元 (PMU) 等各種系列的電源管理產(chǎn)品，可為手持應(yīng)用節(jié)省板級(jí)空間，降低功耗。

FemtoFET MOSFET 系列的主要特性與優(yōu)勢(shì)

· 不足 100 毫歐的導(dǎo)通電阻比類似器件低 70%，可節(jié)省電源，延長(zhǎng)電池使用壽命；

· FemtoFET 0.6 毫米 × 1.0 毫米 × 0.35 毫米的 LGA 封裝比標(biāo)準(zhǔn) CSP 小 40%；

· 1.5A 至 3.1A 的持續(xù)漏極電流值與當(dāng)前市場(chǎng)類似尺寸器件相比，可提供超過(guò) 2 倍的性能。